发明公开
- 专利标题: 一种钴白合金脱硅的方法
- 专利标题(英): Method for desiliconizing cobalt white alloy
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申请号: CN201110309215.8申请日: 2011-10-13
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公开(公告)号: CN102321824A公开(公告)日: 2012-01-18
- 发明人: 尹飞 , 江培海 , 王振文 , 王吉坤 , 杨小华 , 阮书锋
- 申请人: 北京矿冶研究总院
- 申请人地址: 北京市西城区西直门外文兴街1号
- 专利权人: 北京矿冶研究总院
- 当前专利权人: 北京矿冶研究总院,江苏凯力克钴业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市西城区西直门外文兴街1号
- 代理机构: 中国有色金属工业专利中心
- 代理商 李迎春; 李子健
- 主分类号: C22C3/00
- IPC分类号: C22C3/00 ; C22C1/02 ; B22F9/08 ; C22B23/00 ; C22B15/00
摘要:
一种钴白合金脱硅的方法,涉及一种用高硅钴白合金为原料制备电铜、高纯钴盐的工艺的方法。其特征在于其脱硅过程的步骤依次包括:(1)将钴白合金熔化;(2)加入脱硅剂反应;(3)再加入造渣剂造渣;(4)将造渣从熔体中分离;(5)将分离渣后的熔体雾化成合金粉末,用于回收镍钴铜。本发明的一种钴白合金脱硅的方法,造渣剂易于得到,价格便宜;脱硅剂可以是废氧化钴、废氧化铜、废钴酸锂、粗制氢氧化高钴等,有利于原料的综合回收;脱硅后的合金直接进行雾化制粉;脱硅后的合金,可以稳定生产出含硅2%以下的合金粉末。由于含硅小于3%,可采用常规的浸出方式回收钴、铜,后续处理容易,操作简便,金属回收率高,应用前景好。
公开/授权文献
- CN102321824B 一种钴白合金脱硅的方法 公开/授权日:2013-06-05