发明授权
CN102324294B 一种埋嵌式电阻材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种埋嵌式电阻材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of embedded resistance material
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申请号: CN201110233366.X申请日: 2011-08-16
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公开(公告)号: CN102324294B公开(公告)日: 2013-01-09
- 发明人: 何为 , 周国云 , 王守绪 , 杨小健 , 张怀武
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 葛启函
- 主分类号: H01C17/14
- IPC分类号: H01C17/14 ; C23C18/36
摘要:
一种埋嵌式电阻材料的制备方法,属于电子材料与元器件技术领域。埋嵌式电阻材料的制备可通过在介质基板上化学沉积多孔结构的镍磷合金电阻层,然后在镍磷合金电阻层表面电镀铜获得;或在铜箔上化学镀镍磷合金电阻层,然后与半固化介质基板相层压而获得。本发明在制备埋嵌式电阻材料的镍磷合金电阻层时,在化学镀液中加入了阻值调节剂,使得所获得的镍磷合金电阻层具有多孔结构,经过热调质处理之后具有方阻大、性能稳定、散热性好的特点,且制作工艺简单,与现有印制电路板制作工艺相兼容,容易被普通印制电路板制作企业掌握和实现。
公开/授权文献
- CN102324294A 一种埋嵌式电阻材料的制备方法 公开/授权日:2012-01-18