- 专利标题: 铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法
- 专利标题(英): Solar battery assembly of copper-indium-gallium-selenium thin film and preparation method of light absorption layer thereof
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申请号: CN201110331329.2申请日: 2011-10-26
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公开(公告)号: CN102354711B公开(公告)日: 2013-09-04
- 发明人: 肖旭东 , 杨春雷 , 刘壮
- 申请人: 香港中文大学 , 中国科学院深圳先进技术研究院
- 申请人地址: 中国香港新界沙田香港中文大学
- 专利权人: 香港中文大学,中国科学院深圳先进技术研究院
- 当前专利权人: 香港中文大学,中国科学院深圳先进技术研究院
- 当前专利权人地址: 中国香港新界沙田香港中文大学
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 吴平
- 主分类号: H01L31/0352
- IPC分类号: H01L31/0352 ; H01L31/032 ; H01L31/18
摘要:
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件,包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层,所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布。这种梯形禁带结构能够在更大的光谱范围内吸收太阳光以保证光吸收层能更充分地吸收太阳能,从而可以提高光吸收率,同时梯形禁带结构产生向光吸收层两侧变化的电势差,能够同时保证短路电流和有效提高开路电压,使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件获得较高的光吸收率和优良的电学性质。此外,还提供两种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的光吸收层的制备方法。
公开/授权文献
- CN102354711A 铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法 公开/授权日:2012-02-15
IPC分类: