本发明涉及一种测量硅片少子寿命的表面处理方法，包括以下步骤：1)将原生硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附着的杂质；2)将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；3)将清洗后硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面残留的金属污染物；4)将漂洗后硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡；5)将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；6)将吹干后硅片置于氟化铵溶液中浸泡；7)将浸泡后的硅片再次置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；8)上述样片用碘酒钝化后密封，利用μ-PCD法进行少子寿命测试。将硅片经本发明处理后进行少子寿命测试，结果碘酒钝化的稳定性得到明显提高。