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公开(公告)号：CN102732947B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210205228.5
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，移动式副加热器与副加热器电极连接，副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，副加热器电极移动装置安装在上炉体上，副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长，生长纯净准单晶晶棒的比例较高。
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公开(公告)号：CN102364322B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110183083.9
申请日：2011-06-30
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明涉及一种测量硅片少子寿命的表面处理方法，包括以下步骤：1)将原生硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附着的杂质；2)将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；3)将清洗后硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面残留的金属污染物；4)将漂洗后硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡；5)将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；6)将吹干后硅片置于氟化铵溶液中浸泡；7)将浸泡后的硅片再次置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；8)上述样片用碘酒钝化后密封，利用μ-PCD法进行少子寿命测试。将硅片经本发明处理后进行少子寿命测试，结果碘酒钝化的稳定性得到明显提高。
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公开(公告)号：CN102364322A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110183083.9
申请日：2011-06-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种测量硅片少子寿命的表面处理方法，包括以下步骤：1)将原生硅片浸入RCAI溶液中漂洗，去除硅片表面附着的杂质；2)将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗；3)将清洗后硅片浸入RCAII溶液中漂洗，去除硅片表面残留的金属污染物；4)将漂洗后硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡；5)将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；6)将吹干后硅片置于氟化铵溶液中浸泡；7)将浸泡后的硅片再次置于去离子水中漂洗后用氮气吹干；8)上述样片用碘酒钝化后密封，利用μ-PCD法进行少子寿命测试。将硅片经本发明处理后进行少子寿命测试，结果碘酒钝化的稳定性得到明显提高。
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公开(公告)号：CN102220645A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110112185.1
申请日：2011-04-30
申请人： 常州天合光能有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明属于硅片制绒技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的制绒方法。步骤如下：一、金刚线切割的硅片进行清洗；二、经过清洗好的硅片在H2SO4或H3PO4-HF-HNO3的混合酸溶液中进行酸腐蚀反应，各种酸的体积比为：H2SO4或H3PO4∶HF∶HNO3＝2-10∶1-4∶1-4，反应时间30-70s，其中H2SO4浓度98％，HF浓度49％，HNO3浓度63％，H3PO4浓度85％；三、上述与酸反应好的硅片浸泡在碱制绒液中，反应时间在10s-30s；四、将上述与碱反应的硅片浸泡在HCl-HF溶液中30s-120s；五、将反应好的硅片烘干，再进行后续电池工艺制作。本发明通过对金刚线切割硅片制绒方法的优化，和目前的制绒工艺相比，使该硅片制绒后的反射率降低了6％左右，电池效率有很大提高。
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公开(公告)号：CN102021650A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010620738.X
申请日：2010-12-31
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池铸锭技术领域，尤其是一种大型多晶锭的生产方法，先将氮化硅与水通过电动搅拌15min～30min混合均匀作涂覆液，将坩埚进行预热后，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面，然后坩埚进行高温烘焙，烘焙后的坩埚内进行装硅料，对装入硅料的坩埚进行装炉，将多晶炉抽真空后通入保护气体氩气，对多晶炉进行加热使得硅料融化，最后通过定向凝固，将融化的硅料从底部到上部逐渐结晶，然后通过高温退火逐步冷却后出炉，出炉后的晶锭在室温冷却后进行拆坩埚，获得用于切片做电池的多晶硅锭。实现比较大的装料量，既能提高铸锭的产能，晶锭的利用率，又能降低成本，满足大载荷切片机要求，维持其晶体质量不变。
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公开(公告)号：CN101696499A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910035671.0
申请日：2009-09-30
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C23C26/00
摘要： 本发明涉及一种铸锭用坩埚的处理方法：配制氢氧化钡或钡的盐类的溶液作为涂覆液；先对坩埚进行预热；在预热后的坩埚的内表面上均匀地涂覆氢氧化钡或钡的盐类的涂覆液；在50-1200℃下烘焙氢氧化钡或钡的盐类的涂覆液0.5-10h。在坩埚内表面上烘焙出氢氧化钡或钡的盐类的涂层，达到抑制坩埚内部杂质向硅料扩散的目的，进而提高靠近坩埚部位的少子寿命，防止坩埚变形。
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公开(公告)号：CN102225406B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110111779.0
申请日：2011-04-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及切割硅片的后处理技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。该方法如下：经过脱胶后的硅片分别在碱性清洗剂和乳酸中进行粗洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度30～50℃，乳酸的温度为60℃，然后分别在碱性清洗剂和纯水中进行精洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度70～90℃。该清洗方法的根本革新在于：通过对硅片清洗液的PH的提高、以及温度的提高，使得其硅片表面更加干净，表面损伤层去除更大，同时对于硅片的碱制绒工艺起到表面活化作用。这样硅片在制绒时，金字塔绒面的覆盖率较高，绒面比较均一。
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公开(公告)号：CN102344143A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110216669.0
申请日：2011-07-30
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及太阳能级多晶硅料的提纯技术领域，特别是一种金属硅的物理提纯方法及其设备，包括流化床、进料系统、等离子激励电源以及收料和气体循环装置，在流化床内采用介质阻挡放电的方法作为等离子的产生方式，用流化床对硅粉进行预热和传输，用硅粉粒度、载气预热温度和载气流速对颗粒平均处理时间进行控制，用载气预热温度、载气的气氛种类和介质阻挡放电的等离子激励电源功率对纯化效果进行控制，在流动过程中对约束在等离子体中的硅粉实现纯化，最终将提纯后的硅料从流化床末端产出。本发明的有益效果是：可以在常压和近常压的条件下提纯硅料，用于提纯的离子密度高，能量大，提纯效率高，成本低。
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公开(公告)号：CN102133776A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010620010.7
申请日：2010-12-31
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： B28D5/04
摘要： 本发明涉及多晶铸锭线切割技术领域，特别是一种多晶铸锭的线切割方法，该生产方法如下：(一)标记：将多晶铸锭进行开方得到硅块，对铸锭边缘四周靠近坩埚的硅块进行标识，以区分硅块的A、B面，B面靠近坩埚，A面是B面的对应面；(二)将开方后得硅块经IR测试、LT测试、截断、磨面；(三)粘棒：将区分A、B面的硅块的B面粘结在晶托上，其他硅块正常粘棒，待粘胶固化后上棒切片；(四)切片：将固化好的硅块上机切片，区分A、B面的硅块的A面为入刀面。将杂质和硬点少的A面作为入刀面，钢线比较容易进入晶体，大大降低了跳线、蹦边等不良记录，大大提高了硅片的出片率，降低了硅片切割成本，提高了企业的经济效率。
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公开(公告)号：CN102108544A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010299013.5
申请日：2010-10-08
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种控制长晶界面的多晶炉热场结构，具有上炉体、下炉体，上炉体内设置有隔热笼和上保温板，下炉体内设置有底保温板，支撑杆支撑隔热笼内的石墨助凝块，石墨助凝块两端边缘均倒挂有L形保温板，隔热笼内壁底部装有侧保温板，加热时，隔热笼、侧保温板、底保温板、上保温板形成封闭空腔；长晶时，侧保温板与L形保温板之间的间隙为5～30mm。本发明在多晶铸锭生长时，使其结晶界面始终维持为较为理想的平面状态，从而使铸锭多晶晶锭的径向电阻率更为均匀，提高硅片电性能的均匀性，减少晶体中的径向温度梯度，从而降低晶体内的热应力，减少晶体缺陷，提高电池的转换效率。
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