发明授权
CN102369597B 半导体基板、半导体基板的制造方法、和电子器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体基板、半导体基板的制造方法、和电子器件
- 专利标题（英）： Semiconductor substrate, manufacturing method therefor, and electronic device
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申请号： CN201080014399.9申请日： 2010-04-02
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公开(公告)号： CN102369597B公开(公告)日： 2014-04-09
- 发明人: 市川磨
- 申请人： 住友化学株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都
- 专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 蒋亭
- 优先权： 2009-093442 2009.04.07 JP
- 国际申请： PCT/JP2010/002449 2010.04.02
- 国际公布： WO2010/116700 JA 2010.10.14
- 进入国家日期： 2011-09-29
- 主分类号： H01L21/8222
- IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L21/331 ; H01L21/338 ; H01L21/8232 ; H01L21/8248 ; H01L27/06 ; H01L29/737 ; H01L29/778 ; H01L29/812
摘要：
本发明提供适于在单一半导体基板上形成HBT和FET之类的多个不同种类的器件的化合物半导体基板。所述半导体基板包括：第1半导体、形成于第1半导体上的具有电子捕获中心或空穴捕获中心的载流子阱层、在载流子阱层上外延生长且作为自由电子或自由空穴移动的通道发挥功能的第2半导体、以及第3半导体，所述第三半导体包含在第2半导体上外延生长而成的以N型半导体/P型半导体/N型半导体表示的层叠体、或在所述第2半导体上外延生长而成的以P型半导体/N型半导体/P型半导体表示的层叠体。
公开/授权文献
- CN102369597A 半导体基板、半导体基板的制造方法、和电子器件 公开/授权日：2012-03-07
IPC分类:
