-
公开(公告)号：CN101978503B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980109236.6
申请日：2009-03-26
申请人： 国立大学法人东京大学 , 住友化学株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/51 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/66522 , H01L29/78 , H01L29/94
摘要： 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。
-
公开(公告)号：CN101960605A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107412.2
申请日：2009-03-26
申请人： 国立大学法人东京大学 , 住友化学株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/28264 , H01L29/205 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/78648 , H01L29/78681
摘要： 以实用且简单的手法，形成良好的3-5族化合物半导体与氧化层的界面。本发明公开了一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；以及，邻接于所述第1半导体层而形成的且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的能够相对于所述笫1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。另外，公开一种半导体装置，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；将邻接于所述第1半导体层而形成且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的第2半导体层的至少一部分相对于所述第1半导体层进行选择性的氧化而形成的氧化层；以及控制电极，对形成于所述第1半导体层的通道施加电场。
-
公开(公告)号：CN102369597A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014399.9
申请日：2010-04-02
申请人： 住友化学株式会社
发明人： 市川磨
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/7371 , H01L29/7785 , H01L29/7786
摘要： 本发明提供适于在单一半导体基板上形成HBT和FET之类的多个不同种类的器件的化合物半导体基板。所述半导体基板包括：第1半导体、形成于第1半导体上的具有电子捕获中心或空穴捕获中心的载流子阱层、在载流子阱层上外延生长且作为自由电子或自由空穴移动的通道发挥功能的第2半导体、以及第3半导体，所述第三半导体包含在第2半导体上外延生长而成的以N型半导体/P型半导体/N型半导体表示的层叠体、或在所述第2半导体上外延生长而成的以P型半导体/N型半导体/P型半导体表示的层叠体。
-
公开(公告)号：CN103548126B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280024373.1
申请日：2012-06-08
申请人： 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/20 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/0237 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28264 , H01L29/517 , H01L29/66522
摘要： 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。
-
公开(公告)号：CN102428555A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021283.8
申请日：2010-05-19
申请人： 住友化学株式会社
发明人： 市川磨
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/0237 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02538 , H01L21/02573 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/812
摘要： 本发明提供一种半导体基板，其具有：第1半导体、及在第1半导体的上方形成的第2半导体；第2半导体具有：显示P型的传导型杂质或显示N型的传导型的第1杂质原子，和使所述第2半导体的费米能级接近于所述第2半导体不具有所述第1杂质原子时的费米能级的第2杂质原子。作为一个例子，该第2半导体的多数载流子是电子，第2杂质原子使具有第1杂质原子的第2半导体的费米能级下降。第2半导体是3-5族化合物半导体，第2杂质原子也可为选自铍、硼、碳、镁、及锌构成的组中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN101978503A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109236.6
申请日：2009-03-26
申请人： 国立大学法人东京大学 , 住友化学株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/51 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/66522 , H01L29/78 , H01L29/94
摘要： 提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。
-
公开(公告)号：CN102369597B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080014399.9
申请日：2010-04-02
申请人： 住友化学株式会社
发明人： 市川磨
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/7371 , H01L29/7785 , H01L29/7786
摘要： 本发明提供适于在单一半导体基板上形成HBT和FET之类的多个不同种类的器件的化合物半导体基板。所述半导体基板包括：第1半导体、形成于第1半导体上的具有电子捕获中心或空穴捕获中心的载流子阱层、在载流子阱层上外延生长且作为自由电子或自由空穴移动的通道发挥功能的第2半导体、以及第3半导体，所述第三半导体包含在第2半导体上外延生长而成的以N型半导体/P型半导体/N型半导体表示的层叠体、或在所述第2半导体上外延生长而成的以P型半导体/N型半导体/P型半导体表示的层叠体。
-
公开(公告)号：CN103548126A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024373.1
申请日：2012-06-08
申请人： 住友化学株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/20 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/0237 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/28264 , H01L29/517 , H01L29/66522
摘要： 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。
-
公开(公告)号：CN114467183A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080069088.6
申请日：2020-10-09
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 半导体装置具有：衬底；形成于衬底上，由Ⅲ族氮化物构成的Ⅲ族氮化物层；形成于Ⅲ族氮化物层的凹部，Ⅲ族氮化物层具有：沟道层；形成于沟道层上，在所述沟道层形成二维电子气体的阻挡层，阻挡层具有：由氮化铝镓构成的第1层；形成于第1层上，由添加有n型杂质的氮化铝镓构成的第2层，凹部通过除去第2层的厚度的全部或一部分而形成，在凹部的下方，配置有第1层的厚度的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN102428555B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201080021283.8
申请日：2010-05-19
申请人： 住友化学株式会社
发明人： 市川磨
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/0237 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02538 , H01L21/02573 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/812
摘要： 本发明提供一种半导体基板，其具有：第1半导体、及在第1半导体的上方形成的第2半导体；第2半导体具有：显示P型的传导型杂质或显示N型的传导型的第1杂质原子，和使所述第2半导体的费米能级接近于所述第2半导体不具有所述第1杂质原子时的费米能级的第2杂质原子。作为一个例子，该第2半导体的多数载流子是电子，第2杂质原子使具有第1杂质原子的第2半导体的费米能级下降。第2半导体是3-5族化合物半导体，第2杂质原子也可为选自铍、硼、碳、镁、及锌构成的组中的至少一种。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.028 秒)
