本发明涉及一种半导体器件结构的制作方法，其特征在于包括，提供衬底，在所述衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成带有开口图案的光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜对所述牺牲层刻蚀，以在所述牺牲层中形成开口；在所述开口内侧形成侧壁，所述侧壁的高度等于或者低于所述牺牲层的高度；执行离子注入工艺，以在所述衬底中形成沟道；和去除所述侧壁，在所述开口内形成栅极，并在所述沟道两侧形成源极和漏极。根据本发明的方法形成的沟道中的离子浓度呈不均匀分布，大于三分之一沟道宽度的中心区的离子浓度最高，同时沟道边缘区的离子浓度较低。这种离子浓度分布不均匀的沟道既可以有效抑制半导体器件中GIDL电流的产生，又可以改善短沟道效应。