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公开(公告)号：CN119545988A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411854041.7
申请日：2021-02-03
Applicant: 厦门三安光电有限公司
IPC: H10H20/81 , H10H20/816 , H01L21/265 , H10H29/30
Abstract: 微型发光二极管和显示面板。微型发光二极管，包括第一电连接层、第二电连接层和位于所述第一电连接层和第二电连接层之间的外延叠层：所述外延叠层的上表面包含有欧姆接触区和非欧姆接触区，所述非欧姆接触区至少包括位于所述外延叠层上表面周边的外边缘区；所述外边缘区掺杂有非导电元素，所述非导电元素的掺杂浓度为1E16/cm3~1E19/cm3；所述第一电连接层和外延叠层之间还具有电流扩展层，所述电流扩展层位于所述欧姆接触区上。所述微型发光二极管能够实现小电流密度效率提升。
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公开(公告)号：CN119542120A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411710397.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 湖北九峰山实验室
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/322 , C30B25/02 , C30B29/38 , C30B31/22
Abstract: 本发明公开一种用于抑制Si基AlN外延片射频损耗的外延结构及其工艺，包括选取衬底、预生长非晶SiO2层、离子注入、退火、生长外延层；预生长非晶SiO2层为：通过热氧法在高阻Si表面预生长非晶SiO2层，完成热氧预生长的Si衬底进行离子注入。本发明通过向非晶SiO2/高阻Si衬底表面预注入H、He、C、N等离子，在非晶SiO2/Si衬底界面以下形成缺陷层和n型掺杂。形成的缺陷层不但能够通过弛豫AlN层外延生长过程中由于晶格失配和热失配所形成的张应力，减小应力形成的极化场，降低界面沟道的电导率，而且能够阻碍Al、Ga扩散，抑制AlN/Si界面附近p型寄生沟道的形成，从而最终达到降低射频损耗的目的。
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公开(公告)号：CN119522471A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052595.2
申请日：2023-06-14
Applicant: 住友重机械工业株式会社
IPC: H01L21/265 , B23K26/354 , H01L21/268
Abstract: 激光退火装置执行如下步骤：表面熔融步骤，对半导体晶圆照射脉冲激光装置所振荡出的激光脉冲(LP)，通过多个激光脉冲(LP)，使半导体晶圆的表面升温至熔点以上以使其熔融；及活化步骤，从表面熔融步骤开始继续对半导体晶圆照射激光脉冲(LP)，而且通过多个激光脉冲(LP)使半导体晶圆的表面下方升温至规定的活化温度以上并且至少维持规定时间，从而使添加到半导体晶圆的表面下方的掺杂剂活化。在活化步骤中，使半导体晶圆的表面下方10μm为止的区域升温至1000℃以上并且至少维持10μs。
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公开(公告)号：CN119495583A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311028847.6
申请日：2023-08-15
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面；在所述非功能面上形成第一应力膜层结构；对所述晶圆进行激光退火处理；对所述晶圆进行激光退火处理之后，获取晶圆的翘曲度，判断晶圆是否发生翘曲；若所述晶圆发生翘曲，获取晶圆的翘曲情况；根据所述晶圆的翘曲情况，对所述晶圆的非功能面进行离子注入，直至晶圆的翘曲度恢复正常状态。所述方法使得晶圆的翘曲度得到改善。
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公开(公告)号：CN114068330B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202010768497.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 赵猛
IPC: H10D30/01 , H10D30/62 , H01L21/265 , H01L21/28
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，在部分所述衬底上形成栅极层，对所述栅极层的侧壁进行改性处理，在所述栅极层的侧壁形成改性区，所述改性区底部尺寸大于顶部尺寸，刻蚀所述改性区。所述方法使栅极层的侧壁与衬底更接近于垂直，提高了半导体器件性能的可靠性。
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公开(公告)号：CN113196453B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201980082070.7
申请日：2019-12-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约瑟夫·C·奥尔森 , 卢多维克·戈代 , 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 , 摩根·埃文斯 , 傅晋欣
IPC: H01L21/265 , H01L21/67 , H01L23/538
Abstract: 本公开内容的多个实施方式涉及一种用于在基板上形成装置的系统和方法。例如，一种用于在基板上形成装置的方法可以包括从一个或多个离子束腔室投射一个或多个离子束，以在基板的第一表面上形成一个或多个装置，以及从一个或多个离子束腔室投射一个或多个离子束，以在基板的第二表面上形成一个或多个装置。在这些实施方式中，第一表面和第二表面在基板的相对侧上。因此，离子束可以在基板的两侧上形成装置。
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公开(公告)号：CN119317234A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411866127.1
申请日：2024-12-18
Applicant: 金阳(泉州)新能源科技有限公司
Inventor： 林楷睿
IPC: H10F71/00 , H10F77/30 , H10F77/1223 , H10F10/14 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及太阳能电池，具体提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件，该背接触太阳电池的制备方法中通过在待开口的第一半导体开口区或第二半导体开口区的膜层区域进行注氧，形成易被酸腐蚀的含氧膜层，从而形成与不注氧膜层区域有较大腐蚀速率的差异，再进行溶液腐蚀形成开口，这种开口方式不易损伤体硅层或者功能膜层，从而保证电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN113540241B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010311746.X
申请日：2020-04-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 赵猛
IPC: H10D30/65 , H10D64/27 , H01L21/265 , H10D30/01
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底内具有掺杂的漂移区和掺杂的体区，且所述漂移区的导电类型和所述体区的导电类型相反；位于所述基底上的栅极结构，部分所述栅极结构位于所述漂移区上，且部分所述栅极结构位于所述体区上；位于邻近所述栅极结构的部分所述漂移区表面的阻挡层；位于所述基底内或阻挡层内的掺杂层，所述掺杂层位于所述阻挡层和漂移区相接触的界面处，且所述掺杂层内具有修复离子。所述修复离子能够和阻挡层存在的悬挂键结合，有利于提高形成的半导体结构耐高压性。
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公开(公告)号：CN119170507A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411649973.8
申请日：2024-11-19
Applicant: 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有外延层，外延层中形成有源极注入区，源极注入区两侧形成有栅电极层；形成覆盖外延层和栅电极层的层间介电层；刻蚀层间介电层，以形成露出源极注入区的源极接触孔和露出栅电极层的栅极接触孔；对源极接触孔露出的外延层进行离子注入，以使外延层的上表面改性；形成覆盖源极接触孔和栅极接触孔的底部和侧壁的金属层；对金属层进行退火，以在源极接触孔的底部形成源极欧姆接触层，并在栅极接触孔的底部形成栅极欧姆接触层。该方案能够缩短成产周期，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119170498A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411274346.0
申请日：2024-09-11
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种N2气氛下改善碳化硅晶圆翘曲的方法及半导体器件，所述改善碳化硅晶圆翘曲的方法包括如下步骤：提供一碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的一侧包括至少一离子注入区域；在所述碳化硅衬底的至少一离子注入区域的表面沉积二氧化硅层；采用退火工艺对所述碳化硅衬底进行退火，所述退火工艺的反应气体为氮气。本发明的N2气氛下改善碳化硅晶圆翘曲的方法通过在离子注入后的碳化硅衬底表面沉积二氧化硅层，在表面二氧化硅层的保护下在纯氮气中退火热处理，避免衬底表面氮化的同时消除碳化硅衬底由于离子注入造成的晶格损伤缺陷，有效地减小碳化硅衬底在热处理中的翘曲的程度。
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