Invention Grant
- Patent Title: 一种金属-氧化物-金属电容及其制作方法
- Patent Title (English): High-performance metal-oxide-metal capacitor and manufacturing method thereof
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Application No.: CN201110307984.4Application Date: 2011-10-12
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Publication No.: CN102446892BPublication Date: 2013-06-26
- Inventor: 胡友存 , 李磊 , 张亮 , 姬峰 , 陈玉文
- Applicant: 上海华力微电子有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- Assignee: 上海华力微电子有限公司
- Current Assignee: 上海华力微电子有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- Agency: 上海新天专利代理有限公司
- Agent 王敏杰
- Main IPC: H01L23/522
- IPC: H01L23/522 ; H01L21/02 ; H01L21/768
Abstract:
一种高性能金属-氧化物-金属电容以及制作高性能金属-氧化物-金属电容的方法，通过有选择性对金属介电层进行光刻蚀刻来实现在同一层金属介电层中存在两种k值薄膜，将非MOM区域用低k介质填充，使得MOM区域采用高K介质，实现了高性能的金属-氧化物-金属电容，节省了芯片面积，降低了成本，同时与传统工艺相适应。
Public/Granted literature
- CN102446892A 一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法 Public/Granted day:2012-05-09
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IPC分类:
