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公开(公告)号：CN118610313A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410853711.7
申请日：2024-06-27
申请人： 滁州捷泰新能源科技有限公司
发明人： 朱玺
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/02
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池，涉及光伏电池领域。一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法，包括以下步骤：在第一温度下，在硅基底上形成隧穿氧化层；使所述第一温度降温至第二温度；在所述第二温度下，在所述隧穿氧化层上形成非晶硅层；使所述第二温度升温至第三温度；在所述第三温度下，在所述非晶硅层上形成多晶硅层。本申请实施例能够提高沉积速率，缩短工艺时间，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118610301A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410715188.1
申请日：2024-06-04
申请人： 晶澳太阳能有限公司
摘要： 本发明属于太阳能电池领域，涉及一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：硅片双面制绒；硅片正面制备PN结；硅片背面碱抛；碱抛清洗，所述碱抛清洗包括氧化清洗、中和清洗、慢提拉和烘干；隧穿氧化层沉积；所述碱抛清洗还包括：一次流动水冲洗，所述中和清洗步骤后进行所述一次流动水冲洗，所述流动水为纯水；循环水漂洗，所述慢提拉前先进行循环水漂洗，所述循环水为纯水。在碱抛清洗工艺中，增加处理硅片表面残留化剂的流动纯水冲洗和循环热水冲洗工序，并通过优化清洗流程顺序，有效降低氯化钠残留，提高硅片良品率，同时尽可能的缩短清洗时间，减少纯水用量，提高产线效率。
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公开(公告)号：CN118610083A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410609158.2
申请日：2018-01-24
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/3213 , H01J37/32
摘要： 一种利用原子层控制各向同性地蚀刻在衬底上的膜的方法包括：a)提供包括选自硅(Si)、锗(Ge)和硅锗(SiGe)的材料的衬底。所述方法还包括b)通过以下方式在处理室中在所述材料上沉积牺牲层：冷却所述衬底的下部；执行在所述处理室中产生含氧化剂的等离子体或向所述处理室中供应所述含氧化剂的等离子体中的一者；以及使用快速热加热将所述衬底的表面温度提高持续预定的时间段，同时在所述处理室中产生所述含氧化剂的等离子体或供应所述处理室中的所述含氧化剂的等离子体。所述方法还包括c)吹扫所述处理室。所述方法还包括d)通过向所述处理室中供应蚀刻气体混合物并在所述处理室中激励等离子体来蚀刻所述牺牲层和所述材料。
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公开(公告)号：CN118610072A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410640060.3
申请日：2024-05-22
申请人： 成都高真科技有限公司
发明人： 金京宰
摘要： 本发明涉及晶圆制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及晶圆清洗设备，其中，晶圆清洗方法包括：将待清洗的晶圆浸没于清洗槽的化学溶液中；使清洗槽中的化学溶液循环流动；在洗涤槽的底部喷射惰性气体以在化学溶液内产生气泡；其中，惰性气体的喷射量和化学溶液的循环流量两者中的至少一者的大小配置为变化值。本发明在清洗晶圆时，通过在清洗槽的底部喷射惰性气体并在化学溶液内产生气泡，利用气泡对晶圆表面进行清洗并带离清洗反应物。惰性气体的喷射量和化学溶液的循环流量两者中的至少一者的大小配置为变化值，提高化学溶液的流动性，提高晶圆的洁净度和均匀性。
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公开(公告)号：CN113972130B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111145263.8
申请日：2021-09-28
申请人： 西安隆基乐叶光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开一种硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以使硼容易的掺杂进硅片中，降低硼掺杂难度。该硼掺杂方法包括以下步骤：提供一硅基底；在硅基底上形成辅助层，辅助层的材料包括二氧化钛；在辅助层上形成含硼浆料层；利用激光将含硼浆料层中的硼杂质穿过辅助层推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。本发明提供的硼掺杂方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。
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公开(公告)号：CN110429021B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910671677.0
申请日：2019-07-24
申请人： 曲靖隆基硅材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种硅片清洗沥干装置及方法、清洗烘干装置及方法，包括花篮工装、沥干支架、提升机构和烘干支架；沥干支架具有沥干倾斜面，烘干支架具有烘干倾斜面；烘干支架设置在烘干槽的底部，沥干支架设置在清洗槽中，且能相对清洗槽进行升降；花篮工装底部能倾斜放置在沥干倾斜面或烘干倾斜面上，花篮工装用于设置硅片。通过搬运时和搬运后形态的改变，使水残留在硅片间移动，破坏水体张力，减少水分残留。本申请能使清洗的硅片，在烘干前，快速进行沥水，沥除多余残水，节省烘干时间，在保证烘干质量的前提下，提高产能。同时，在烘干前，硅片底部无水体残留，从而进一步节省烘干时间，提升烘干效果。
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公开(公告)号：CN118588804A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410631130.9
申请日：2024-05-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/30 , C23C16/44 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B33/02 , C23C16/02 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205
摘要： 本发明涉及一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法，属于半导体材外延材料的制备技术领域。本发明主要是在InP衬底上在不同的温度下依次生长材料(InxGa1‑xAs、InAsxP1‑x或InxAl1‑xAs中的任意一种)，从而形成低温层、中温层和高温层，本发明的生长方法可以用于生长峰值响应波长介于1.7μm～2.9μm之间的高In组分InGaAs探测器，具有以下优点：(1)降低外延材料缺陷密度获得高质量的高In组分InGaAs外延材料(2)采用三步法可以降低InGaAs拓展波长探测器缓冲层厚度，提高器件的响应速度。
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公开(公告)号：CN118588531A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410213284.6
申请日：2024-02-27
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 本发明提供贴合晶片的加工方法，能够在不损伤贴合晶片的情况下高效地去除倒角部。贴合晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从第一晶片的背面定位于第一晶片的内部而向第一晶片照射激光光线从而形成改质层，并且形成从改质层伸展并沿着接合层向外周延伸的裂纹；以及磨削工序，将第一晶片的背面磨削而薄化。在改质层形成工序中，由分支成多个的多焦点构成激光光线的聚光点，按照连接多焦点而得的线朝向第一晶片的外周形成15度～50度的俯角的方式进行设定。
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公开(公告)号：CN118335681B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410740660.7
申请日：2024-06-10
申请人： 沈阳芯达半导体设备有限公司
摘要： 本发明属于晶片清洗技术领域，具体为一种晶片浸泡用的清洗夹具及使用方法；包括清洗底座，所述清洗底座通过螺栓与安装方板连接，安装方板对称设置于清洗底座的顶面上；所述安装方板上设置有降位浸洗组件；所述降位浸洗组件包括伸缩气缸，伸缩气缸设置于安装方板的顶面上；所述伸缩气缸的输出端上安装有多端连接架，两个多端连接架相向一侧上安装有U型连接架，两个U型连接架共同连接上固板和下固板，上固板和下固板对齐设置；所述上固板和下固板上均设置有气动移锁单元；通过气动移锁单元，使得装置无需根据晶片的型号、尺寸和外形不同更换不同类型的夹具，降低了装置在使用时的局限性，从而提升了晶片清洗的效率。
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