发明公开
CN102473640A 半导体装置及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 半导体装置及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and process for production thereof
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申请号: CN201180003079.8申请日: 2011-03-28
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公开(公告)号: CN102473640A公开(公告)日: 2012-05-23
- 发明人: 泷井谦昌 , 甲斐隆行 , 齐藤太志郎 , 大熊崇文
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 刘文海
- 优先权: 2010-124013 2010.05.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2011/001825 2011.03.28
- 国际公布: WO2011/151961 JA 2011.12.08
- 进入国家日期: 2012-01-31
- 主分类号: H01L21/3205
- IPC分类号: H01L21/3205 ; H01L23/52
摘要:
在具有贯通电极(19)的半导体装置及其制造方法中,具有以包围半导体基板(5)的背面的包括贯通电极(19)在内的再配线层(18)周围的方式将配线彼此绝缘的绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b),由此,为了将配线间绝缘,仅将存在于绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)的底部的金属层除去即可,能够实现处理时间的缩减。