发明授权
- 专利标题: 可中断的NAND闪存
- 专利标题(英): Interruptible NAND flash memory
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申请号: CN201080038104.1申请日: 2010-08-06
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公开(公告)号: CN102483951B公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: J·G·贝内特
- 申请人: 微软公司
- 申请人地址: 美国华盛顿州
- 专利权人: 微软公司
- 当前专利权人: 微软技术许可有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国华盛顿州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 高见
- 优先权: 12/549,897 2009.08.28 US
- 国际申请: PCT/US2010/044785 2010.08.06
- 国际公布: WO2011/031398 EN 2011.03.17
- 进入国家日期: 2012-02-27
- 主分类号: G11C16/02
- IPC分类号: G11C16/02 ; G11C16/06 ; G11C16/10 ; G11C16/16
摘要:
一种NAND闪存逻辑单元。NAND闪存逻辑单元包括对命令作出响应并准许编程和/或擦除命令可被读取命令中断的控制电路。该控制电路包括一组用于执行当前命令的内部寄存器,以及一组用于接收命令的外部寄存器。控制电路还包括可使NAND闪存逻辑单元具有冗余以正确地保持被中断的编程或擦除命令的状态的一组补充寄存器。当被中断的编程或擦除命令是恢复时,NAND闪存逻辑单元由此可以快速地恢复被暂停的编程或擦除操作。这在NAND闪存逻辑单元的上下文中提供对读取响应时间的显著改进。
公开/授权文献
- CN102483951A 可中断的NAND闪存 公开/授权日:2012-05-30