发明公开
CN102494781A 一种读出电路偏置结构
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种读出电路偏置结构
- 专利标题(英): Readout circuit bias structure
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申请号: CN201110417652.1申请日: 2011-12-14
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公开(公告)号: CN102494781A公开(公告)日: 2012-06-13
- 发明人: 吕坚 , 周云 , 蒋亚东 , 王璐霞 , 阙隆成
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都华典专利事务所
- 代理商 杨保刚; 徐丰
- 主分类号: G01J5/10
- IPC分类号: G01J5/10 ; H03M1/50
摘要:
本发明公开了一种读出电路偏置结构,包括第一MOS管、第二MOS管、参比电阻、热敏电阻、运算放大器,温度补偿电阻,第三MOS管和第四MOS管,其中温度补偿电阻一端连接于第一MOS管和第二MOS管之间,另一端连接第三MOS管和第四MOS管之间且与第三MOS管的衬底相连,第三运算放大器的同相输入端连接在第一MOS管和第二MOS管之间,反相输入端与输出端相连构成单位增益缓冲器;且通过电阻连接在第四运算放大器的反向输入端,通过积分电容积分,输出电压。
公开/授权文献
- CN102494781B 一种读出电路偏置结构 公开/授权日:2013-04-10