MEMS器件的制作方法
Abstract:
本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有金属互连结构;在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层,所述第一牺牲层的材质为无定形碳;刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽;在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层;采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层,直至露出所述第一牺牲层;在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层,并曝露出第一牺牲层,所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层,并图形化所述牺牲介质层,再形成介质层的方法,避免了对无定形碳的研磨,能够缩短生产周期,极大提高了生产效率。
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