Invention Publication
- Patent Title: MEMS器件的制作方法
- Patent Title (English): Manufacture method for MEMS (Micro-electromechanical Systems) device
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Application No.: CN201010607826.6Application Date: 2010-12-27
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Publication No.: CN102530831APublication Date: 2012-07-04
- Inventor: 毛剑宏 , 唐德明
- Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
- Assignee: 上海丽恒光微电子科技有限公司
- Current Assignee: 浙江珏芯微电子有限公司
- Current Assignee Address: 323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道石牛路268号1幢B座307室
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 骆苏华
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00

Abstract:
本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有金属互连结构;在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层,所述第一牺牲层的材质为无定形碳;刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽;在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层;采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层,直至露出所述第一牺牲层;在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层,并曝露出第一牺牲层,所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层,并图形化所述牺牲介质层,再形成介质层的方法,避免了对无定形碳的研磨,能够缩短生产周期,极大提高了生产效率。
Public/Granted literature
- CN102530831B MEMS器件的制作方法 Public/Granted day:2014-05-21
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