用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统

发明授权

CN102543952B 用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统有权

摘要：

本发明涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/52	.用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522	..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525	...具有可适用互连装置的