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公开(公告)号：CN103633063B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201310363695.5
申请日：2013-08-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0694 , H01L21/02 , H01L21/743 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L23/48 , H01L27/0629 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L29/407 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66477 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7845 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN102543952B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201110437046.6
申请日：2011-12-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L22/14 , H01L22/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。
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公开(公告)号：CN103107167B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201310052247.3
申请日：2008-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/83101 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H05K1/185 , H05K2201/09118 , H05K2201/10515 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1316 , H05K2203/1469 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及了半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法。公开了制造器件的方法，半导体芯片封装和半导体芯片组件。一个实施例包括施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上。施加至少一个元件到第二成形元件上。施加材料到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上。
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公开(公告)号：CN103107167A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310052247.3
申请日：2008-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2224/83101 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H05K1/185 , H05K2201/09118 , H05K2201/10515 , H05K2201/10674 , H05K2203/016 , H05K2203/1316 , H05K2203/1469 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及了半导体芯片封装、半导体芯片组件和制造器件的方法。公开了制造器件的方法，半导体芯片封装和半导体芯片组件。一个实施例包括施加至少一个半导体芯片到第一成形元件上。施加至少一个元件到第二成形元件上。施加材料到该至少一个半导体芯片和该至少一个元件上。
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公开(公告)号：CN102543923B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110417177.8
申请日：2011-12-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/02175 , H01L2224/02311 , H01L2224/02315 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开一种半导体器件和制作半导体器件的方法。半导体器件包括布置于芯片之上的再分布层，该再分布层包括第一再分布线。半导体还包括：设置于再分布层之上的隔离层，该隔离层具有形成第一焊盘区的第一开口；以及位于第一开口中并且与第一再分布线接触的第一互连。第一焊盘区中的再分布线与到半导体器件的中性点的第一方向正交布置。
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公开(公告)号：CN103633063A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310363695.5
申请日：2013-08-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0694 , H01L21/02 , H01L21/743 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L23/48 , H01L27/0629 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L29/407 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66477 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7845 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN102543952A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110437046.6
申请日：2011-12-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/525 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L22/14 , H01L22/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。
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公开(公告)号：CN102543923A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110417177.8
申请日：2011-12-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/02175 , H01L2224/02311 , H01L2224/02315 , H01L2224/02371 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开一种半导体器件和制作半导体器件的方法。半导体器件包括布置于芯片之上的再分布层，该再分布层包括第一再分布线。半导体还包括：设置于再分布层之上的隔离层，该隔离层具有形成第一焊盘区的第一开口；以及位于第一开口中并且与第一再分布线接触的第一互连。第一焊盘区中的再分布线与到半导体器件的中性点的第一方向正交布置。
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