发明公开
CN102544214A 太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing ZnO nano array at window layer of solar battery
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申请号: CN201210001623.1申请日: 2012-01-05
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公开(公告)号: CN102544214A公开(公告)日: 2012-07-04
- 发明人: 史伟民 , 刘晟 , 杨伟光 , 胡喆 , 马磊 , 袁安东 , 李杰
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 上海上大专利事务所
- 代理商 顾勇华
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; C23C14/35
摘要:
本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃(FTO)上溅射ZnO晶种,工作气压为0.3Pa,溅射功率为150W,溅射时间为20min;接着使用快速退火仪,在N2气氛中对晶种进行热处理,温度为400℃,时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列,生长溶液为0.05mol/L硝酸锌的水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺(HMT)的水溶液,生长温度为92.5℃,生长时间为2h;最后用管式退火炉,在N2气氛中对ZnO纳米阵列进行退火,温度为400℃,时间为30min。
公开/授权文献
- CN102544214B 太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法 公开/授权日:2014-10-15