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公开(公告)号：CN117254081B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311207226.4
申请日：2023-09-19
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M8/1086 , H01M8/1067 , H01M8/1004 , C23C14/48
摘要： 本申请涉及一种抗老化质子交换膜及其制备方法与膜电极组件。该抗老化质子交换膜包括商用质子交换膜和注入在所述质子交换膜表面的过渡金属离子；离子注入量为1×1010‑1×1017ion/cm2。本发明通过在商用质子交换膜表面注入过渡金属离子，利用过渡金属离子对自由基的复合作用，改善抗老化性能的同时，提升了质子交换膜的传导性能。本发明提供的制备方法操作方便、过程简单，具有很好的普适性，便于自控化控制，适合大规模批量化生产。
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公开(公告)号：CN111640868B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010400521.1
申请日：2020-05-13
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明对钙钛矿薄膜的卤化铅前驱体溶液进行电子辐照后，再旋涂成前驱体薄膜，滴加甲胺碘溶液后，经过反应和退火得到改性后的钙钛矿薄膜并制备器件。本发明制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大，表面平整光滑，可以钝化界面，有效减少晶界效应，促进光子传化为电子的能力，从而降低器件的串联电阻，增大填充因子和光电转化效率。本发明方法工艺简单便捷，可重复性好，为大规模生产高性能钙钛矿薄膜光电器件提供了可行的方案，对器件性能提升显著。
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公开(公告)号：CN102351430A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110192217.3
申请日：2011-07-11
申请人： 上海大学
IPC分类号： C03C17/22
摘要： 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。对所制备的薄膜采用金相显微镜、XRD、紫外-可见分光光度计进行表征。结果表明化学液相垂直沉积法可制备得到沿 晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且晶粒结构完整性好、均匀性佳，膜厚约为800nm，禁带宽度为2.26eV。本发明具有潜在的实际应用前景。
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公开(公告)号：CN113125309A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110377053.5
申请日：2021-04-08
申请人： 上海大学
IPC分类号： G01N13/04 , H01M8/1004
摘要： 本发明属于质子交换膜性能测试技术领域，特别涉及一种质子交换膜的老化方法和质子交换膜氢渗测试的方法。本发明提供的质子交换膜的老化方法，包括以下步骤：将质子交换膜进行预处理，得到预处理膜；将所述预处理膜进行高能电子束辐照处理，得到老化质子交换膜。引入高能电子束辐照处理，高能电子束与质子交换膜中的聚合物分子产生碰撞，使质子交换膜分子内部的化学键发生断裂，有利于加速了质子交换膜老化的过程，显著提高质子交换膜燃料电池中氢气的渗透，同时质子交换膜表面无明显裂纹和孔洞，便于研究由于质子交换膜的化学降解所引起的氢气从阳极到阴极的渗透。
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公开(公告)号：CN111640868A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010400521.1
申请日：2020-05-13
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明对钙钛矿薄膜的卤化铅前驱体溶液进行电子辐照后，再旋涂成前驱体薄膜，滴加甲胺碘溶液后，经过反应和退火得到改性后的钙钛矿薄膜并制备器件。本发明制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大，表面平整光滑，可以钝化界面，有效减少晶界效应，促进光子传化为电子的能力，从而降低器件的串联电阻，增大填充因子和光电转化效率。本发明方法工艺简单便捷，可重复性好，为大规模生产高性能钙钛矿薄膜光电器件提供了可行的方案，对器件性能提升显著。
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公开(公告)号：CN102689920A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210204656.6
申请日：2012-06-20
申请人： 上海大学
摘要： 本发明一种溶剂热合成铜锌锡硫材料的方法，属于光电材料制备技术领域。本发明包括如下步骤：硫粉和金属铜锌锡盐分别溶于乙二胺和醇类有机溶剂中，在氮气的保护下将两种溶液混合，然后将混合溶液放入耐高压反应釜中，在180-240℃反应6-48小时，经离心、干燥后即可得到纯相的铜锌锡硫粉体。本发明方法采用混合溶剂，重复性好，成本低，易分离，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102544214A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001623.1
申请日：2012-01-05
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，工作气压为0.3Pa，溅射功率为150W，溅射时间为20min；接着使用快速退火仪，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌的水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液，生长温度为92.5℃，生长时间为2h；最后用管式退火炉，在N2气氛中对ZnO纳米阵列进行退火，温度为400℃，时间为30min。
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公开(公告)号：CN102517544A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110449815.4
申请日：2011-12-29
申请人： 上海大学
摘要： 本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过超声波作用下真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高质量多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的多晶碘化汞厚膜特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属于半导体厚膜制备技术领域。本发明以2,7-二溴-4-羟汞基荧光红双钠盐（又名汞溴红）、碘酊为先驱反应溶液，无水酒精为溶剂，制得了多晶碘化汞薄膜。以碘化汞薄膜作为晶种层，再通过超声波作用下真空蒸发物理气象沉积法沉积生长多晶碘化汞厚膜，最终在衬底基片上获得柱状晶粒的高质量多晶碘化汞厚膜。
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公开(公告)号：CN117254081A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311207226.4
申请日：2023-09-19
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01M8/1086 , H01M8/1067 , H01M8/1004 , C23C14/48
摘要： 本申请涉及一种抗老化质子交换膜及其制备方法与膜电极组件。该抗老化质子交换膜包括商用质子交换膜和注入在所述质子交换膜表面的过渡金属离子；离子注入量为1×1010‑1×1017ion/cm2。本发明通过在商用质子交换膜表面注入过渡金属离子，利用过渡金属离子对自由基的复合作用，改善抗老化性能的同时，提升了质子交换膜的传导性能。本发明提供的制备方法操作方便、过程简单，具有很好的普适性，便于自控化控制，适合大规模批量化生产。
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公开(公告)号：CN105891949A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610338171.4
申请日：2016-05-20
申请人： 上海大学
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1225 , G02B2006/12176
摘要： 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。
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