发明授权
- 专利标题: 两用晶体管
- 专利标题(英): Dual use transistor
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申请号: CN201080044046.3申请日: 2010-07-16
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公开(公告)号: CN102549916B公开(公告)日: 2015-03-25
- 发明人: 塞夫尔·塞斯拉鲁
- 申请人: 剑桥硅无线电有限公司
- 申请人地址: 英国剑桥
- 专利权人: 剑桥硅无线电有限公司
- 当前专利权人: 高通技术国际有限公司
- 当前专利权人地址: 英国剑桥
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余刚; 吴孟秋
- 优先权: 0913445.3 2009.07.31 GB
- 国际申请: PCT/EP2010/060358 2010.07.16
- 国际公布: WO2011/012473 EN 2011.02.03
- 进入国家日期: 2012-03-30
- 主分类号: H03F1/22
- IPC分类号: H03F1/22 ; H03F3/195 ; H03F3/24 ; H03F3/72 ; H04B1/44
摘要:
一种用于放大射频信号的电路,包括:用于连接至天线的终端;共用放大器,以共用栅极结构配置在第一节点和所述终端之间;发射放大器,可操作为放大输入节点处存在的射频信号,并将放大的信号提供给第一节点;以及接收放大器,可操作为放大所述第一节点处存在的射频信号,并将放大的信号提供给输出节点;其中,电路可以以两种模式进行操作:在接收模式中,配置共用放大器和接收放大器,从而一起形成用于放大在终端处接收的射频信号的接收串叠结构;以及在发射模式中,配置共用放大器和发射放大器,从而一起形成用于放大在输入节点处施加的射频信号的发射串叠结构。
公开/授权文献
- CN102549916A 两用晶体管 公开/授权日:2012-07-04
IPC分类: