发明公开
CN102549917A 放大器偏压技术
失效 - 权利终止
- 专利标题: 放大器偏压技术
- 专利标题(英): Amplifier bias techniques
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申请号: CN201080046184.5申请日: 2010-10-15
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公开(公告)号: CN102549917A公开(公告)日: 2012-07-04
- 发明人: 维贾雅库马尔·哈纳斯凯伦
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 宋献涛
- 优先权: 12/580,979 2009.10.16 US
- 国际申请: PCT/US2010/052964 2010.10.15
- 国际公布: WO2011/047352 EN 2011.04.21
- 进入国家日期: 2012-04-13
- 主分类号: H03F1/30
- IPC分类号: H03F1/30
摘要:
本发明提供用于产生AB类放大器的偏压电压的技术,所述AB类放大器具有第一有源晶体管及第二有源晶体管。在示范性实施例中,二极管耦合式第一晶体管支持第一电流,且所述第一晶体管的栅极电压耦合到所述第一有源晶体管的栅极电压。将所述第一电流分成第二电流及由第二晶体管支持的第一辅助电流,用所述AB类放大器的所要共模输出电压对所述第二晶体管加偏压。所述第一辅助电流进一步与将由第三晶体管支持的第三电流组合,其中所述第三晶体管经配置以复制所述第二有源晶体管的特性。此外,提供用于将所述第三晶体管的漏极电压设定成接近于所述共模输出电压的技术。可使用本文中所描述的技术为AB类放大器中的NMOS有源晶体管及/或PMOS有源晶体管提供偏压电压。
公开/授权文献
- CN102549917B 放大器偏压装置及方法 公开/授权日:2015-01-07