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公开(公告)号：CN118659748B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411143028.0
申请日：2024-08-20
申请人： 成都安普利电子有限责任公司
发明人： 罗懿
摘要： 本发明提供了一种针对微波功率放大器的动态管理系统，涉及信号管理技术领域。本发明通过设置数字微波信号缓存模块来对数字微波信号进行缓存，能使数字微波信号输入端口无需等待信号帧处理，高速传输数字微波信号避免端口占用；通过设置预失真动态管理单元，能根据温度数据动态匹配对应的预失真参数，避免温度影响预失真处理效果；此外，预失真参数判断模块对各帧数字微波信号进行动态管理，通过提前预测后续K帧所处的温度情况，从而得到预测情况所对应的预失真预测参数，并在到达各帧对应时刻时，判断温度数据是否和预测的相匹配；若匹配，则直接输出预测得到的预失真预测信号进行耦合，从而达到节省处理时间花费的效果。
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公开(公告)号：CN118523734B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410995719.7
申请日：2024-07-24
申请人： 成都屿西半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种X波段高压大功率GaN MMIC功率放大器，属于集成电路技术领域，用于提高功率放大器管芯的击穿电压，满足功率放大器高压大功率的性能要求。该放大器包括多级放大电路、匹配网络电路、功率分配网络电路、栅极偏置电路、漏极偏置电路、稳定电路和功率合成网络电路；在降低了功率放大器的低频增益的同时，保证带宽内增益平坦度指标，避免了功率放大器由于不稳定而产生的自激效应；采用增大源条和漏条间距，增大了源漏间沟道的面积，使得沟道电场分布更为均匀，降低了电场强度从而增大了击穿电压；源条和漏条间距采用宽间距结构，提高了漏极电压和输出功率；大幅提高了功率放大器的漏压及功率，实现可靠性的有效提升。
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公开(公告)号：CN118921024A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411411966.4
申请日：2024-10-11
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本公开提供了一种频带分离放大器，包括输入跨导级，偏置电流源，滤波网络，负载级，共模反馈网络。输入跨导级用于将输入信号转化成电流信号；偏置电流源用于为输入跨导级提供合适的偏置；滤波网络被配置为包括低频传输路径和中频传输路径两种不同的传输路径，并在不同的传输路径中引入不同的传输零极点，使得低频传输路径呈现低通特性，中频传输路径呈现带通特性，从而输出得到低频信号和中频信号；低频信号和中频信号经负载级后得到低频输出和中频输出；共模反馈网络用于稳定输出端低频输出和中频输出的共模电平。同时还提供上述频带分离放大器在涉及多次下变频操作的接收机及IOT通信系统中的应用。
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公开(公告)号：CN118646372B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411111357.7
申请日：2024-08-14
申请人： 深圳市微源半导体股份有限公司
摘要： 本申请适用于电子电路技术领域，提供了一种运算放大电路、芯片及电子设备。运算放大电路包括第一偏置模块、第二偏置模块、共模反馈模块、放大模块和输出模块，所述放大模块分别与所述输出模块、所述共模反馈模块和所述第二偏置模块连接，所述第一偏置模块分别与所述共模反馈模块和所述第二偏置模块连接，所述第一偏置模块、所述共模反馈模块和所述第二偏置模块的公共端作为第一节点，所述第一偏置模块、所述第二偏置模块和所述输出模块均用于与第一电源连接，所述共模反馈模块、所述放大模块和所述输出模块均用于接地，所述放大模块还用于接收差分信号。本申请实施例提供的运算放大电路解决了目前的运算放大器的启动时间较长的问题。
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公开(公告)号：CN118868807A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410861571.8
申请日：2024-06-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十六研究所
摘要： 本发明涉及一种可用于高灵敏度接收前端的低温低噪声放大器，该低温低噪声放大器包括三级InP裸管芯和六路偏置匹配电路；三级InP裸管芯分别为：第一级管芯T1、第二级管芯T2和第三级管芯T3；六路偏置匹配电路，分别为：第一级管芯T1输入偏置匹配电路、第一级管芯T1输出偏置匹配电路、第二级管芯T2输入偏置匹配电路、第二级管芯T2输出偏置匹配电路、第三级管芯T3输入偏置匹配电路、第三级管芯T3输出偏置匹配电路。本发明采用InP HEMT来设计低温低噪声放大器，实现基于InP HEMT裸管芯设计的混合集成电路。通过采用InP HEMT来设计放大器，可以进一步降低极低温度下低噪放的噪声温度，突破GaAs HEMT的噪声极限。
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公开(公告)号：CN118826659A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411302895.4
申请日：2024-09-19
申请人： 苏州悉芯射频微电子有限公司
摘要： 本发明涉及射频芯片功放技术领域，具体而言，涉及一种提高动态误差向量幅度的电路。包括：热感应电路、偏置调整电路、偏置电路、RF功率管、第一电容和第二电容。通过调整热感应电路和RF功率管在芯片上的相对位置，使热感应晶体管可以感应到RF晶体管温度的变化，并按一定比例将其转化为电压等变化后，将这种变化传递给偏置调整电路。偏置调整电路在接收到变化信号后进行放大，放大后的变化信号经偏置电路注入到RF功率管，形成一个负反馈来弥补RF功率管随温度变化导致的增益的波动，从而达到提高动态误差向量幅度的目的。
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公开(公告)号：CN118100826B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410270350.3
申请日：2024-03-11
申请人： 睿思微系统(烟台)有限公司
IPC分类号： H03F1/56 , H03F1/30 , H03F3/19 , H03F3/21 , G06F30/367
摘要： 本发明公开了一种堆叠式功率放大器以及堆叠式功率放大器的调试方法，适用于射频集成电路技术领域。将可变匹配电路的偏置电路和可变电容连接所属层的晶体管的基极，作为晶体管的基极匹配电容，偏置电路的输入端连接控制单元的电源，用于接收控制单元给出的各电源电压具体值，以输出偏置电压，充分利用晶体管的偏置电压，实现调节可变电容对应的两端电压。与传统堆叠式功率放大器的设置多个版本固定电容值挑选最优的性能相比，可通过同一版本的版图设计，在回版后调节可变电容的电压以实现负载阻抗的调整得到较优的PA性能测试结果。通过设计一个版本即可获得PA最优性能，减少产品开发工作量以及节省研发成本。
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公开(公告)号：CN118783904A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411223798.6
申请日：2024-09-03
申请人： 苏州至盛半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种中高功率全集成D类音频功率放大器芯片的热保护方法。该方法在芯片封装内部采用分布式温度检测方法，准确感知芯片封装内发热源的实时温度和芯片的整体温度，为芯片热管理和热保护策略提供原始输入信息；当温度大于预设关断阈值时，则关断输出；当温度不大于预设关断阈值时，则采用基于温升的降功率策略进行热保护，当温度超过用户预设阈值时开始动作，温度越高，引入的增益衰减越大，以达到降低系统总输出功率而降低器件温度的目的，当检测到温度下降到低于用户设定阈值时，增益开始恢复，直到回到温度保护系统介入前的系统增益。采用本方法可以在保证良好听感的前提下，短暂降低系统功率再逐渐恢复，避免器件因为过热而烧毁。
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公开(公告)号：CN118659750A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410745962.3
申请日：2024-06-11
申请人： 长沙民政职业技术学院
IPC分类号： H03F1/56 , H03F1/30 , H03H11/04 , H03F3/20 , G06F30/373
摘要： 本发明涉及功率放大器技术领域，且公开了两个可控传输零点的双频高效率功率放大器及其设计方法，包括晶体管和双频阻抗变换电路，所述双频阻抗变换电路包括第一电路、第二电路和第三电路；该两个可控传输零点的双频高效率功率放大器及其设计方法，通过由第一电路、第二电路和第三电路组成的双频阻抗变换电路，并结合该电路的设计方法，可以设计出具有两个可控传输零点双频高效率功率放大器，能够有效抑制更多的带外频率信号，能够为矿井下多频无线终端设计具有良好带外频率抑制的双频高效率功率放大器，同时将二次谐波控制电路与两个传输零点产生电路融合到双频基波阻抗变换电路中，从而大大减小了电路尺寸。
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公开(公告)号：CN118631181A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410791367.3
申请日：2024-06-19
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于粒子群优化算法的高精度可变增益放大器，包括底层可变增益放大器跨导阵列第一晶体管M1,i、第二晶体管M2,i、第三晶体管M3,i、第四晶体管M4,i，底层可变增益放大器尾电流源第五晶体管M5,i、第六晶体管M6,i，级间匹配网络第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4，顶层可变增益放大器跨导阵列的第七共栅晶体管M7,j、第八共栅晶体管M8,j、第九共栅晶体管M9,j、第十共栅晶体管M10,j，顶层可变增益放大器主放大通路的第十一共源晶体管M11、第十二共源晶体管M12，隔直电容；通过结合粒子群优化算法的设计方法进行晶体管尺寸的选择，本发明实现了高精度、大调节范围的可变增益放大器，同时能够应对工艺角、温度、电压偏差引起的性能变化。
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