发明授权
- 专利标题： 一种厚膜光刻胶清洗液
-
申请号： CN201010604011.2申请日： 2010-12-21
-
公开(公告)号： CN102566331B公开(公告)日： 2016-08-03
- 发明人: 刘兵 , 彭洪修 , 孙广胜 , 王胜利
- 申请人： 安集微电子(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
- 专利权人： 安集微电子(上海)有限公司
- 当前专利权人： 安集微电子科技(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室
- 代理机构： 上海翰鸿律师事务所
- 代理商 李佳铭
- 主分类号： G03F7/42
- IPC分类号： G03F7/42
摘要：
本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、常用溶剂、季戊四醇、醇胺、间苯二酚、含颜料亲和基团的聚合物。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜(Cu)和铝(Al)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。
公开/授权文献
- CN102566331A 一种厚膜光刻胶清洗液 公开/授权日：2012-07-11