公开(公告)号：CN116135948A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202111371138.9

申请日：2021-11-18

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 夏德勇 ,  刘兵 ,  张维棚

IPC分类号： C09K13/06 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种化学蚀刻组合物，包括磷酸、硅基有机酸化合物和去离子水。本发明高选择性蚀刻组合物，相对于氧化物膜选择性地蚀刻氮化物膜，且操作窗口大，在化学蚀刻领域具有广阔的使用前景。

公开(公告)号：CN113121622A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911397725.8

申请日：2019-12-30

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 丁姜宏 ,  刘兵 ,  彭洪修

IPC分类号： C07H3/02 ,  C07H1/06 ,  C07C31/26 ,  C07C29/76 ,  C07C35/16 ,  C07C31/18 ,  C07H15/04

摘要： 本发明涉及一种去除有机物中微量阴离子、阳离子的方法。本发明通过离子树脂和抛光树脂处理有机物原料，即可得到离子含量

公开(公告)号：CN106933067A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201511019286.9

申请日：2015-12-30

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 郑玢 ,  刘兵 ,  孙广胜 ,  黄达辉

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： G03F7/426

摘要： 本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液组合物，其包含:(a)醇胺(b)溶剂(c)水(d)酚类化合物(e)表面活性剂。该清洗液组合物富含水且不含氟化物和羟胺，能够快速的去除由于硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化，而发生交联硬化的光刻胶，并且能够实现在去除金属线(Metal)、通孔(Via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时，对于基材(如金属铝，非金属二氧化硅等)基本没有攻击，特别是对于金属铝有良好的保护作用。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102569023B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201010620024.9

申请日：2010-12-30

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 王胜利 ,  彭洪修 ,  刘兵

IPC分类号： H01L21/02 ,  B08B3/08

摘要： 本发明公开了一种减少金属层腐蚀的清洗方法。本发明在刻蚀残余清洗完成后的去离子水漂洗过程中，加入氧化剂。本发明的漂洗方法可利用铝的表面钝化的性质，在铝的表面形成了一层致密氧化膜，有效地减少了腐蚀的产生。

公开(公告)号：CN105527803A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201410514269.1

申请日：2014-09-29

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  黄达辉 ,  郑玢 ,  孙广胜 ,  张炜

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明公开了一种不含氟化物、羟胺、环状胺和季胺氢氧化物的去除光阻蚀刻残留物的清洗液及其组成。这种不含氟化物、羟胺、环状胺和季胺氢氧化物的低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液含有(a)醇胺(b)醇醚(c)水(d)连苯三酚及其衍生物(e)多元醇(C3-C6)。这种低蚀刻性的去除光阻蚀刻残留物的清洗液能够容易快速的去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶及其残留物；并且对于基材基本没有攻击，如金属铝/铜/金/银/钛/钨，非金属二氧化硅等。本发明的清洗液在LED及半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102566330B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201010585371.2

申请日：2010-12-10

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾(b)溶剂(c)醇胺(d)有机酚(e)苯并三氮唑及其衍生物(f)聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102298277B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201010212122.9

申请日：2010-06-25

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 刘兵 ,  彭洪修 ,  孙广胜

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明提供了一种用于厚膜光刻胶的清洗液，包括：二甲基亚砜，醇钾，芳基醇和醇胺。本发明的用于厚膜光刻胶的清洗液可以在较大的温度范围内(25～90℃)使用，特别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该光刻胶清洗液对铜、锡、铅等金属具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101548242B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200780044774.2

申请日：2007-12-10

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 彭洪修 ,  史永涛 ,  刘兵

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  C23G1/06 ,  C11D1/83

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/06 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/34 ,  C23G5/02893 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

摘要： 一种光刻胶清洗剂包括二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。该清洗剂可除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm厚的光刻胶。

公开(公告)号：CN101373340B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200710045210.2

申请日：2007-08-23

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 史永涛 ,  彭洪修 ,  曹惠英 ,  刘兵 ,  曾浩

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D7/34 ,  C11D7/06 ,  C11D7/26

摘要： 本发明公开了一种光刻胶清洗剂，其含有：季铵氢氧化物、聚羧酸类缓蚀剂、芳基醇和/或其衍生物、二甲基亚砜和水。本发明的光刻胶清洗剂可有效除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它刻蚀残留物，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101663620B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880011243.8

申请日：2008-04-03

申请人： 安集微电子(上海)有限公司

发明人： 史永涛 ,  彭洪修 ,  刘兵

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  C23G1/06 ,  C11D1/83

CPC分类号： G03F7/425 ,  C11D7/261 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  G03F7/426

摘要： 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂包括：苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。该清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物。