- 专利标题： 氧化物超导体用取向膜基底层及其成膜方法以及其成膜装置
- 专利标题（英）： Underlying layer of alignment film for oxide superconductor, method of forming same, and device for forming same
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申请号： CN201080044542.9申请日： 2010-10-07
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公开(公告)号： CN102576583B公开(公告)日： 2014-01-29
- 发明人: 羽生智 , 饭岛康裕
- 申请人： 株式会社藤仓
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社藤仓
- 当前专利权人： 株式会社藤仓
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 金世煜; 苗堃
- 优先权： 2009-233764 2009.10.07 JP
- 国际申请： PCT/JP2010/067624 2010.10.07
- 国际公布： WO2011/043409 JA 2011.04.14
- 进入国家日期： 2012-03-31
- 主分类号： H01B13/00
- IPC分类号： H01B13/00 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; C23C14/46 ; H01B12/06
摘要：
本发明提供一种氧化物超导体用取向膜基底层的成膜方法，其以与基材的表面对置的方式在上述基材的长度方向配置2种以上的靶；向上述2种以上的靶的表面同时照射离子束，将上述2种以上的靶的构成粒子按上述2种以上的靶的配置顺序堆积在上述基材的表面；使上述基材多次通过上述构成粒子的堆积区域内，在每次所述通过中使上述2种以上的靶的上述构成粒子反复堆积在上述基材的表面，形成在上述基材的表面反复层叠有2种以上的薄膜的层叠体。
公开/授权文献
- CN102576583A 氧化物超导体用取向膜基底层及其成膜方法以及其成膜装置 公开/授权日：2012-07-11