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公开(公告)号：CN101652505B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880010929.5
申请日：2008-03-28
申请人： 株式会社藤仓 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC分类号： C23C14/024 , C23C14/081 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L39/2461 , Y02T50/67
摘要： 本发明的目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构。
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公开(公告)号：CN102576583B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201080044542.9
申请日：2010-10-07
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： H01L39/2461 , C23C14/081 , C23C14/087 , C23C14/3464 , C23C14/46 , C23C14/562 , Y02T50/67
摘要： 本发明提供一种氧化物超导体用取向膜基底层的成膜方法，其以与基材的表面对置的方式在上述基材的长度方向配置2种以上的靶；向上述2种以上的靶的表面同时照射离子束，将上述2种以上的靶的构成粒子按上述2种以上的靶的配置顺序堆积在上述基材的表面；使上述基材多次通过上述构成粒子的堆积区域内，在每次所述通过中使上述2种以上的靶的上述构成粒子反复堆积在上述基材的表面，形成在上述基材的表面反复层叠有2种以上的薄膜的层叠体。
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公开(公告)号：CN102676993A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210082688.3
申请日：2008-03-28
申请人： 株式会社藤仓 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC分类号： C23C14/024 , C23C14/081 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L39/2461 , Y02T50/67
摘要： 本发明涉及多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体，其目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构，所述第一层和所述第二层的取向轴相同，均为 取向。
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公开(公告)号：CN102482769A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039830.5
申请日：2010-10-07
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/46 , C23C14/562 , C30B23/02 , C30B29/22 , H01L39/2461
摘要： 本发明提供一种离子束辅助溅射装置，其具有：靶材；向该靶材照射溅射离子、轰击出靶材构成粒子一部分的溅射离子源；设置用于堆积从靶材上轰击出的粒子的基材的成膜区域；相对于设置在该成膜区域的基材的成膜面的法线方向，从斜向照射辅助离子束的辅助离子束照射装置；所述溅射离子源具有多个离子枪，它们排列成可从所述靶材的一侧端部到另一侧端部照射溅射离子束，所述多个离子枪的用于产生溅射离子束的电流值分别设定。
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公开(公告)号：CN101652505A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880010929.5
申请日：2008-03-28
申请人： 株式会社藤仓 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC分类号： C23C14/024 , C23C14/081 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L39/2461 , Y02T50/67
摘要： 本发明的目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构。
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公开(公告)号：CN102676993B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210082688.3
申请日：2008-03-28
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： C23C14/024 , C23C14/081 , C30B23/02 , C30B29/16 , H01L39/2461 , Y02T50/67
摘要： 本发明涉及多晶薄膜和其制造方法及氧化物超导导体，其目的在于，提供通过在维持良好的晶体取向性的同时将中间层薄膜化、从而防止由膜的内部应力导致的基板的翘曲的多晶薄膜。本发明的多晶薄膜，其特征在于，在金属基材上形成中间层，所述中间层依次层叠第一层和第二层而成，所述第一层和所述第二层的晶体结构分别为岩盐结构和萤石结构，所述第一层和所述第二层的取向轴相同，均为 取向。
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公开(公告)号：CN102576583A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044542.9
申请日：2010-10-07
申请人： 株式会社藤仓
CPC分类号： H01L39/2461 , C23C14/081 , C23C14/087 , C23C14/3464 , C23C14/46 , C23C14/562 , Y02T50/67
摘要： 本发明提供一种氧化物超导体用取向膜基底层的成膜方法，其以与基材的表面对置的方式在上述基材的长度方向配置2种以上的靶；向上述2种以上的靶的表面同时照射离子束，将上述2种以上的靶的构成粒子按上述2种以上的靶的配置顺序堆积在上述基材的表面；使上述基材多次通过上述构成粒子的堆积区域内，在每次所述通过中使上述2种以上的靶的上述构成粒子反复堆积在上述基材的表面，形成在上述基材的表面反复层叠有2种以上的薄膜的层叠体。
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