• 专利标题: 功率模块用基板、带散热器的功率模块用基板、功率模块、功率模块用基板的制造方法及带散热器的功率模块用基板的制造方法
  • 专利标题(英): Substrate for power module, substrate with heat sink for power module, power module, method for producing substrate for power module, and method for producing substrate with heat sink for power module
  • 申请号: CN201080047257.2
    申请日: 2010-10-19
  • 公开(公告)号: CN102576697A
    公开(公告)日: 2012-07-11
  • 发明人: 长友义幸秋山和裕殿村宏史寺崎伸幸黑光祥郎
  • 申请人: 三菱综合材料株式会社
  • 申请人地址: 日本东京
  • 专利权人: 三菱综合材料株式会社
  • 当前专利权人: 三菱综合材料株式会社
  • 当前专利权人地址: 日本东京
  • 代理机构: 北京德琦知识产权代理有限公司
  • 代理商 康泉; 王珍仙
  • 优先权: 2009-243259 2009.10.22 JP; 2010-045747 2010.03.02 JP; 2010-091366 2010.04.12 JP; 2010-217591 2010.09.28 JP; 2010-217590 2010.09.28 JP
  • 国际申请: PCT/JP2010/068332 2010.10.19
  • 国际公布: WO2011/049067 JA 2011.04.28
  • 进入国家日期: 2012-04-19
  • 主分类号: H01L23/36
  • IPC分类号: H01L23/36 H01L23/12
功率模块用基板、带散热器的功率模块用基板、功率模块、功率模块用基板的制造方法及带散热器的功率模块用基板的制造方法
摘要:
本发明提供一种功率模块用基板,为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板,在所述金属板中,固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素,所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量%以上10质量%以下,或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量%以上5质量%以下。
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