发明授权
- 专利标题： 制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管
- 专利标题（英）： Method of manufacturing light emitting diode and light emitting diode manufactured thereby
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申请号： CN201210001662.1申请日： 2012-01-05
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公开(公告)号： CN102593279B公开(公告)日： 2014-08-06
- 发明人: 李东柱 , 李宪昊 , 沈炫旭 , 金荣善
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 韩明星
- 优先权： 10-2011-0000916 2011.01.05 KR
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/02
摘要：
提供了一种制造发光二极管的方法及通过该方法制造的发光二极管。该方法包括：在第一反应室中在基底上顺序地生长第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层；将其上生长有第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层的基底转移至第二反应室；在第二反应室中在未掺杂氮化物半导体层上生长附加第一导电类型氮化物半导体层；在附加第一导电类型氮化物半导体层上生长有源层；以及在有源层上生长第二导电类型氮化物半导体层。
公开/授权文献
- CN102593279A 制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管 公开/授权日：2012-07-18
IPC分类:
