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公开(公告)号：CN103872200B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310675942.5
申请日：2013-12-11
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22
摘要： 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。
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公开(公告)号：CN102593279B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210001662.1
申请日：2012-01-05
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要： 提供了一种制造发光二极管的方法及通过该方法制造的发光二极管。该方法包括：在第一反应室中在基底上顺序地生长第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层；将其上生长有第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层的基底转移至第二反应室；在第二反应室中在未掺杂氮化物半导体层上生长附加第一导电类型氮化物半导体层；在附加第一导电类型氮化物半导体层上生长有源层；以及在有源层上生长第二导电类型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103650175A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180071914.1
申请日：2011-07-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/24
摘要： 本发明涉及能够改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：n型半导体层，其上表面上有至少一个凹坑；形成在所述n型半导体层上的有源层，所述有源层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹进的顶表面；和形成在所述有源层上的p型半导体层，所述p型半导体层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述有源层的凹痕凹进的顶表面。
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公开(公告)号：CN102867894A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210082249.2
申请日：2012-03-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/025 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40
摘要： 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层和形成在它们之间的活性层；p侧电极和n侧电极，分别电连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102154689B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010542800.8
申请日：2010-11-05
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/45563 , C30B23/02 , C30B25/14 , C30B29/40 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： 本发明提供了一种气相沉积系统、一种制造发光装置的方法和一种发光装置。根据本发明一方面的气相沉积系统可包括：第一室，具有第一基座和至少一个气体分配器，所述至少一个气体分配器沿与设置在所述第一基座上的基底平行的方向排放气体；第二室，具有第二基座和至少一个第二气体分配器，所述至少一个第二气体分配器布置在所述第二基座上方，以向下排放气体。当使用根据本发明一方面的气相沉积系统时，由此生长的半导体层具有优异的晶体质量，由此提高发光装置的性能。此外，在提高气相沉积系统的操作能力和产率的同时，可以防止设备的劣化。
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公开(公告)号：CN103872200A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310675942.5
申请日：2013-12-11
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/0062 , H01L33/32
摘要： 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。
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公开(公告)号：CN109004993B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201810578929.0
申请日：2018-06-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04B17/12 , H04B7/06 , H04B7/0404
摘要： 提供了电子设备。该电子设备包括：第一天线，被配置为发送具有第一相位的第一发送信号；第二天线，被配置为发送具有第二相位的第二发送信号；收发器，被电连接到第一天线和第二天线；以及处理器。收发器被配置成识别包括第一发送信号的部分的第一反馈发送信号以及包括第二发送信号的部分的第二反馈发送信号，并计算对于第一和第二反馈发送信号的相关性。处理器被配置为基于相关性的至少一部分来预测从电子设备辐射的辐射功率、控制收发器调整第一相位或第二相位中的至少一个，并基于用于调整的操作将预测的辐射功率改变为预定值。
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公开(公告)号：CN1146216C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN98122995.6
申请日：1998-11-30
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 李东柱
IPC分类号： H04M3/42
CPC分类号： H04M3/4874 , H04M1/642
摘要： 自动话音通知设备及其控制方法，将消息以话音的形式从头自动发送给接交换机的用户，自动话音通知设备包括：消息接收存储器，接收记录和播送话音消息的指令；数字信号处理器，接收来自消息接收存储器的指令，并产生记录和播送话音消息的控制信号；消息控制器，根据控制信号将话音消息依次记录到相应的存储区中，控制信号通过选择特定信道从通知信号的开头播送话音消息；有多个存储卡的话音存储器，各信道即分派给这些存储卡，话音消息存入信道中。
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公开(公告)号：CN109004993A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810578929.0
申请日：2018-06-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04B17/12 , H04B7/06 , H04B7/0404
摘要： 提供了电子设备。该电子设备包括：第一天线，被配置为发送具有第一相位的第一发送信号；第二天线，被配置为发送具有第二相位的第二发送信号；收发器，被电连接到第一天线和第二天线；以及处理器。收发器被配置成识别包括第一发送信号的部分的第一反馈发送信号以及包括第二发送信号的部分的第二反馈发送信号，并计算对于第一和第二反馈发送信号的相关性。处理器被配置为基于相关性的至少一部分来预测从电子设备辐射的辐射功率、控制收发器调整第一相位或第二相位中的至少一个，并基于用于调整的操作将预测的辐射功率改变为预定值。
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公开(公告)号：CN1226778A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：CN98122995.6
申请日：1998-11-30
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 李东柱
IPC分类号： H04M3/42
CPC分类号： H04M3/4874 , H04M1/642
摘要： 自动话音通知设备及其控制方法,将消息以话音的形式从头自动发送给接交换机的用户,自动话音通知设备包括:消息接收存储器,接收记录和播送话音消息的指令;数字信号处理器,接收来自消息接收存储器的指令,并产生记录和播送话音消息的控制信号;消息控制器,根据控制信号将话音消息依次记录到相应的存储区中,控制信号通过选择特定信道从通知信号的开头播送话音消息;有多个存储卡的话音存储器,各信道即分派给这些存储卡,话音消息存入信道中。
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