本发明涉及一种发光器件，其包含具有一个以（100）晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽，凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个（111）晶面上的GaN晶体结构；该GaN晶体结构包含一个非极性平面，及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层，其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底，提高了发光效率和光发射强度，且发射光高度极化，并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用寿命。