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公开(公告)号：CN102593298B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210067680.X
申请日：2012-03-15
申请人： 矽光光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光器件，其包含具有一个以（100）晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽，凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个（111）晶面上的GaN晶体结构；该GaN晶体结构包含一个非极性平面，及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层，其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底，提高了发光效率和光发射强度，且发射光高度极化，并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN102751296A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210257219.0
申请日：2012-07-24
申请人： 矽光光电科技(上海)有限公司
发明人： 潘小和
摘要： 本发明涉及一种在单个衬底上整合集成电路、发光元件及传感元件的器件，结构简单紧凑，降低成本。具体的，在一个单衬底电子器件中包含一个半导体衬底，一个或多个构建于所述半导体衬底上的发光元件，一个或多个构建于所述半导体衬底上的传感元件，一个或多个组装在所述半导体衬底上的集成电路，以及利用微机电系统（MEMS）技术构建的一个或多个三维运动/加速定位仪。发光元件通过响应一个电流信号而发光。传感元件通过响应其邻近范围内的光亮，输出一个图像传感信号。三维运动/加速定位仪给出与器件的位置变化情况相匹配的运动传感信息。集成电路对图像传感信号或运动传感信号进行处理，并给发光元件发送所述电流信号。
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公开(公告)号：CN102751296B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210257219.0
申请日：2012-07-24
申请人： 矽光光电科技(上海)有限公司
发明人： 潘小和
摘要： 本发明涉及一种在单个衬底上整合集成电路、发光元件及传感元件的器件，结构简单紧凑，降低成本。具体的，在一个单衬底电子器件中包含一个半导体衬底，一个或多个构建于所述半导体衬底上的发光元件，一个或多个构建于所述半导体衬底上的传感元件，一个或多个组装在所述半导体衬底上的集成电路，以及利用微机电系统（MEMS）技术构建的一个或多个三维运动/加速定位仪。发光元件通过响应一个电流信号而发光。传感元件通过响应其邻近范围内的光亮，输出一个图像传感信号。三维运动/加速定位仪给出与器件的位置变化情况相匹配的运动传感信息。集成电路对图像传感信号或运动传感信号进行处理，并给发光元件发送所述电流信号。
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公开(公告)号：CN102593298A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210067680.X
申请日：2012-03-15
申请人： 矽光光电科技(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光器件，其包含具有一个以（100）晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽，凹槽的一部分被限定为硅基底的（111）晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个（111）晶面上的GaN晶体结构；该GaN晶体结构包含一个非极性平面，及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层，其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底，提高了发光效率和光发射强度，且发射光高度极化，并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用寿命。
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