Invention Grant
- Patent Title: 包括集成的背面反射器和芯片附接的发光二极管
- Patent Title (English): Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach
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Application No.: CN201080046495.1Application Date: 2010-07-29
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Publication No.: CN102612760BPublication Date: 2015-05-13
- Inventor: M·J·伯格曼 , K·W·哈贝雷恩 , B·E·威廉斯 , W·T·帕克 , 潘方圆 , D·苏 , M·多诺弗里奥
- Applicant: 克里公司
- Applicant Address: 美国北卡罗来纳州
- Assignee: 克里公司
- Current Assignee: 科锐LED公司
- Current Assignee Address: 美国北卡罗来纳州
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 方世栋; 王忠忠
- Priority: 12/538602 2009.08.10 US
- International Application: PCT/US2010/043615 2010.07.29
- International Announcement: WO2011/019510 EN 2011.02.17
- Date entered country: 2012-04-09
- Main IPC: H01L33/46
- IPC: H01L33/46

Abstract:
一种发光二极管,包括:具有第一(120A)和第二(120B)相对的面的碳化硅衬底(120),所述第一面上的二极管区域(110),与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极(112)和阴极(114)触点以及与所述二极管区域相对的在所述碳化硅衬底上的混合反射器(132,134)。所述混合反射器包括透明层(132)和反射层(232),所述透明层(132)具有低于所述碳化硅衬底的折射率的折射率,所述反射层(232)在所述透明层上,与所述衬底相对。可以在所述混合反射器上提供芯片附接层,与所述碳化硅衬底相对。可以在所述混合反射器和所述芯片附接层之间提供阻挡层(432)。
Public/Granted literature
- CN102612760A 包括集成的背面反射器和芯片附接的发光二极管 Public/Granted day:2012-07-25
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IPC分类: