发明授权
- 专利标题: 阈值电压退化测量电路
- 专利标题(英): Threshold voltage degradation measuring circuit
-
申请号: CN201210104045.4申请日: 2012-04-10
-
公开(公告)号: CN102636678B公开(公告)日: 2015-01-21
- 发明人: 洪杰 , 何燕冬 , 张钢刚 , 张兴
- 申请人: 北京大学
- 申请人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 专利权人: 北京大学
- 当前专利权人: 北京大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区颐和园路5号
- 代理机构: 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 王莹
- 主分类号: G01R19/00
- IPC分类号: G01R19/00
摘要:
本发明涉及集成电路技术领域,提供了一种阈值电压退化测量电路。所述电路包括两个串联的MOS管;其中,第一MOS管为被测管,第一MOS管的栅极连接第一直流电压,源极和衬底同时连接源极电压,漏极连接输出端;第二MOS管的栅极和漏极同时连接第二直流电压,源极和衬底同时连接输出端。在本发明的方案中,提出了一种结构简单的阈值电压退化测量电路,其电路只包含两个串联的MOS管,只需测量输出端的电压变化即可直接测量被测管的阈值电压退化情况,只涉及一个物理量的获取且无需进行二次处理和分析,因此本发明的技术方案结构简单、操作方便、节省时间、结果精确直观且易于实现。
公开/授权文献
- CN102636678A 阈值电压退化测量电路 公开/授权日:2012-08-15