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公开(公告)号：CN119993237A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510449782.5
申请日：2025-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开涉及一种存储模块、存储阵列、存储装置及存内计算编程方法。存储模块包括存储单元和存内计算单元。存储单元用于连接字线、位线和源极线，被配置为：在存储模式下，基于字线、位线和源极线执行数据编程、数据读取或数据删除。存内计算单元连接存储单元并用于连接定时字线、计算字线、计算源极线，被配置为：在存内计算模式的第一阶段，基于位线和定时字线获取存储单元的存储数据；以及，在存内计算模式的第二阶段，基于计算字线和计算源极线执行存内计算。本公开不仅能具有非易失性、高开关比、极低开启电流、在计算过程中消除直流路径以及补偿放电晶体管失配的优势，还能够有效提高存内计算的并行度、线性度和能效。
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公开(公告)号：CN119476467A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411314306.4
申请日：2024-09-20
Applicant: 北京大学
IPC: G06N5/04 , G06N3/045 , G06F16/3329 , G06F16/355 , G06F16/36 , G06F40/30 , G06N5/022
Abstract: 一种基于大语言模型进行情境问题推理的方法及相关设备，涉及人工智能技术领域其中方法包括：获取情境问题；将所述情境问题输入至智能体，获取所述智能体输出的第一回答，所述第一回答由集成于所述智能体中的大语言模型基于所述情境问题推理得到；若确定所述第一回答错误，则将所述第一回答输入至所述智能体，获取所述智能体输出的第二回答，所述第二回答是所述智能体基于所述第一回答对所述大语言模型进行推理反思或知识补充后，由所述大语言模型推理得到；其中，所述智能体是基于样本情境问题训练得到。实施本发明提供的技术方案，可以对智能体的反思和知识补充机制，从而提升情境问题回答的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119156021A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411020464.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，提供一种阻变存储器件及阻变存储器件的制备方法，该阻变存储器件包括底电极、第一介质层、第一顶电极、第二介质层，第二顶电极；第一介质层设于底电极上；第一顶电极设于第一介质层上，且第一顶电极具有至少一个空穴；第二介质层设于空穴中，且第二介质层的厚度低于空穴的深度；第二顶电极，设于第二介质层上，且第二顶电极的至少一部分与第一顶电极的上表面接触。本发明能够使得第一顶电极与介质层的接触面积增大，较大的接触面积可以提供更多的电流通路，有利于实现更稳定和均匀的电流传输，这有助于提高器件的可靠性和性能一致性，且较大的接触面积可以提供更广泛的电流分布，有利于实现更可靠的电阻切换特性。
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公开(公告)号：CN118860191A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410909465.2
申请日：2024-07-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种触控器件结构，包括TFT器件以及MIM电容，所述TFT器件包括源极、漏极以及栅极，所述MIM电容包括上极板以及下极板，所述上极板与所述下极板之间通过绝缘层分隔，所述TFT器件的源极与MIM电容的下极板相连接，其中：所述TFT器件用于实现触控器件的选通及关断；所述MIM电容用于感知触控器件所处的状态。MIM电容未被触碰时，下极板与大地自然形成一系列寄生电容，共同构成触控器件的自电容；MIM电容被触碰时额外形成与自电容为并联关系的触碰电容，使得源极总电容量增加；利用TFT器件对触控器件的选通和关断作用降低触控传感器阵列中的寄生电容，实现高分辨率触控传感器阵列中信噪比的提高。
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公开(公告)号：CN118019439A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311844549.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明提供易失型阻变器件的耐久性优化制备方法及易失型阻变器件，涉及易失型阻变器件技术领域，所述方法包括：在衬底上形成第一电极层；在第一电极层上涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光和显影以在第一电极层上形成图案区域；在图案区域上形成阻变层；在阻变层上形成第二电极层；去除光刻胶；方法还包括：在图案区域上形成界面层，界面层位于第一电极层与阻变层之间；和/或，在填充氩气和氧气的环境中按照预设氧分压范围形成阻变层；和/或，在含氧环境下退火预设时间。通过形成界面层的结构、控制氧分压在预设氧分压范围内、含氧环境下退火实现氧气退火这三种方式之一或组合，在没有外部激励电压的情况下，避免形成导电通道导致高阻态失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117992713A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410076914.X
申请日：2024-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种注意力机制神经网络的向量内积运算处理方法及装置，应用于非易失存储器阵列，所述方法包括：获取第一待计算向量的属性信息，其中，属性信息用于表征第一待计算向量的维度大小和位宽；确定定点数最小位权所对应的电导值；基于第一待计算向量的属性信息和电导值，将第一待计算向量的位权值预存至非易失存储器阵列；基于电导值和所述位权值，对第一待计算向量和第二待计算向量进行向量内积计算，得到第一待计算向量和第二待计算向量的向量内积运算结果，其中，第一待计算向量和第二待计算向量为注意力机制神经网络中的待计算向量。本发明消除对非易失存储器的编程操作，从而提高计算速度以及减少能耗开销。
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公开(公告)号：CN117766404A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311789520.0
申请日：2023-12-22
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开一种铟锌氧化物晶体管的工艺制作方法，属于微纳电子器件领域。本发明可应用于纳米尺寸的氧化物晶体管，通过磁控溅射工艺连续溅射保护层和源/漏电极，所述保护层对有源层与源/漏电极的接触面进行连接，阻挡了源/漏电极材料向有源层的扩散现象，同时优化接触特性，提升氧化物晶体管的性能。本发明步骤简单、制备温度低、且成本低，可有效提升氧化物晶体管的性能，为我国集成电路发展提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN117739823A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311637808.6
申请日：2023-12-01
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/02 , G01B11/24 , G06T7/50 , G06T7/70 , G06T7/80 , G06T7/13 , G06V10/25 , G06V10/82 , B25J11/00 , B25J19/02
Abstract: 本发明公开一种目标测距方法、系统及服务机器人，其中，目标测距方法，包括：利用目标检测模型对采集图像中待测目标进行识别检测，获取待测目标在图像上的目标检测框；获取采集图像相机的张正友标定的标定矩阵；基于目标检测框的位置与所述标定矩阵进行深度估计，获取待测目标与相机之间的距离和待测目标偏离相机正前方的角度。本发明适于精度要求较高的服务机器人中用于测距。
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公开(公告)号：CN117637617A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311677896.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种制备垂直沟道金属氧化物半导体晶体管的方法，属于半导体技术领域。本发明首先RIE刻蚀氧化硅隔离层形成沟槽，再分别制备源/漏电极、有源层、栅介质层以及金属栅电极，得到由位于沟槽内的栅极控制的串联垂直沟道氧化物晶体管。采用本发明可以避免源漏交叠区的产生以及其导致的源漏寄生电容；可以通过一次光刻形成两个晶体管的串联。
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公开(公告)号：CN117410185A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311598365.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/423 , H01L21/443 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种氧化物晶体管的制备方法，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明在氧化物晶体管的制备过程中，在室温下对器件源/漏接触面进行了等离子体处理，成功提升了氧化物晶体管的迁移率和驱动电压，并改善了源/漏接触面的表面粗糙度。采用本发明制备的氧化物晶体管性能优异，具有实际应用潜力，且工艺步骤简单、制备温度低、成本低。
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