本发明涉及液晶显示领域，公开了一种制造TFT-LCD阵列基板的方法及其产品，用于节省生产流程，降低了生产成本，该方法为：采用掩膜工艺在形成半导体有源层的玻璃基板上形成像素电极层和源漏电极层，并采用掩膜工艺在像素电极层上形成像素电极，在源漏电极层上形成源漏电极，以及在像素区域、数据区域和栅极区域顺序形成的绝缘层、栅极层和光刻胶上，采用灰阶掩膜工艺和显影工艺、经刻蚀、灰化，光刻胶剥离、再次刻蚀等处理，在栅极层上形成栅电极，这样便实现了先构造源漏电极，再构造栅电极，从而仅通过3次掩膜工艺即可以完成TFT-LCD阵列基板的生产流程，相对于传统的5掩膜工艺，大大节省生产流程，降低了生产成本。