本发明提供一种具有低阻值基材与低功率损耗的半导体结构，其包括一半导体单元，一第一导电结构，一第一导电物质与一第二导电结构。其中，半导体单元具有一基材，此基材位于半导体单元的一侧并且具有至少一个孔洞。第一导电物质，位于上述的孔洞内，并以填满或不填满的方式存在于孔洞内。第一导电结构，位于半导体单元的该侧的一表面。第二导电结构，位于半导体单元的不同于半导体基材的另一侧表面。本发明能有效降低基材的电阻，进而降低半导体结构导通时的功率损耗，此外，拥有更久的使用寿命。再者，本发明在不增加额外设备的情形下，可延续使用目前封装厂产能的优势，进一步降低功率损耗与潜藏的裂片风险。