-
公开(公告)号：CN112397496B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201910763448.1
申请日：2019-08-19
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/495
摘要： 本发明公开一种功率模块。功率模块的载板组件包括一底板、一电路板、一导线架以及一焊垫组。电路板设置于底板的一承载面上。电路板包括一元件设置部以及一延伸部，延伸部由元件设置部的其中一侧边延伸。导线架设置在底板上，且至少包括彼此电性绝缘的第一导电部以及一第二导电部。电路板的延伸部嵌于第一导电部与第二导电部之间，且导线架的上表面以及延伸部的上表面切齐。焊垫组包括一第一焊垫、一第二焊垫以及一第三焊垫。第一焊垫设置在延伸部上，第二焊垫与第三焊垫分别设置在第一导电部与第二导电部上。功率模块还包括至少一功率元件，且功率元件通过焊垫组设置在载板组件上。
-
-
公开(公告)号：CN117080196A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210505760.2
申请日：2022-05-10
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
摘要： 本发明公开一种功率封装模块。功率封装模块包括电子组件、第一引脚组件以及第二引脚组件。电子组件至少包括载板。第一引脚组件包括第一功率元件引脚，且第二引脚组件包括第二功率元件引脚。第一功率元件引脚与第二功率元件引脚分别由载板的不同表面延伸，而具有高度差。第一功率元件引脚包括第一接触段以及第一非接触段。第一接触段直接连接载板，第一非接触段未接触载板。载板凸出第一接触段而延伸到第一非接触段下方。
-
公开(公告)号：CN103515370A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210212518.2
申请日：2012-06-21
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/36 , H01L23/488 , H01L21/58
CPC分类号： H01L2224/05554 , H01L2224/37 , H01L2224/37011 , H01L2224/37124 , H01L2224/40 , H01L2224/40091 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一种功率半导体封装体及其制造方法在此揭露，其中功率半导体封装体包含引线框架、第一芯片、第二芯片与单一连接片。引线框架具有电源引线板、接地板、输出引线板、第一栅极引线板与一第二栅极引线板，彼此分开设置。第一芯片设置于电源引线板上，第一芯片内部的高侧功率晶体管的栅极接至第一栅极引线板；第二芯片设置于接地板上，第二芯片内部的低侧功率晶体管的栅极接至第二栅极引线板。连接片设置于第一、第二芯片与输出引线板上，电气连接高侧功率晶体管的源极与低侧功率晶体管的漏极。
-
公开(公告)号：CN101807546B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910007232.9
申请日：2009-02-13
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
发明人： 许修文
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/92 , H01L29/78
摘要： 一种沟道式金属氧化物半导体元件的制作方法。在栅极介电层上，沿着栅极沟道的内壁沉积一第一多晶硅层。然后，植入第一导电型的掺杂物至位于栅极沟道底部的第一多晶硅层。接下来，沉积一掺杂有第二导电型掺杂物的第二多晶硅层覆盖第一多晶硅层。随后，施以高温工艺，使第一多晶硅层与第二多晶硅层内的掺杂物扩散，而形成一位于栅极沟道底部的第一导电型的第一掺杂区与一第二导电型的第二掺杂区。
-
公开(公告)号：CN102820842A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110155514.0
申请日：2011-06-10
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H02P7/29
摘要： 一种马达驱动装置，包括一锁定保护单元、一待机模式判断单元与一马达控制电路，其中，锁定保护单元接收一霍尔信号，并据以产生一锁定信号；待机模式判断单元接收一脉冲宽度调变信号与来自锁定保护单元的锁定信号，并依据此脉冲宽度调变信号与锁定信号产生一待机模式控制信号；锁定保护单元则是依据此待机模式控制信号，决定是否停止产生锁定信号；马达控制电路接收脉冲宽度调变信号与待机模式控制信号以控制马达转动，并依据前述待机模式控制信号与锁定信号决定其运作模式。本发明协调马达锁定保护与待机模式的操作，并在适当的时候自动进入或脱离待机模式。
-
公开(公告)号：CN102013428B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200910171447.4
申请日：2009-09-04
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 一种金氧半导体芯片，包括一重掺杂的半导体基板、一外延层、至少一元件与一金属图案层；重掺杂的半导体基板构成一漏极掺杂区；外延层于半导体基板上；外延层的上表面定义有一主动区、一终端区与一切割道保留区，在切割道保留区具有一蚀刻壁，延伸至半导体基板的一上表面；此半导体基板的上表面的边缘区域暴露于外；元件位于主动区，并具有一栅极与一源极；金属图案层位于外延层与半导体基板上，包括一栅极接触垫、一源极接触垫与一漏极金属图案，其中，栅极接触垫电连接栅极，源极接触垫电连接源极，至少部分的漏极金属图案位于半导体基板的上表面。此芯片的设计可降低导通耗损；其制作方法可降低制作成本，也有利于后续的封装与装配程序。
-
公开(公告)号：CN101656213B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810135505.3
申请日：2008-08-19
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 本发明是有关于一种沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法。该方法包括以下步骤：制作第一导电型外延层于硅基板上；制作多个沟槽于外延层；全面离子注入第一导电型的掺杂物于外延层；制作多晶硅图案层覆盖沟槽与其周围预设范围的外延层；通过多晶硅图案层，注入第二导电型的掺杂物于外延层；导入掺杂物，形成具有第二导电型的阱区；通过多晶硅图案层，注入第一导电型的掺杂物于阱区，形成多个第一掺杂区；导入第一掺杂区的掺杂物，形成一源极掺杂区紧邻沟槽；去除位于外延层上方的多晶硅图案层，形成多晶硅栅极。本发明可改善沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阱区的深度分布，避免阱区覆盖栅极沟槽的底部而导致晶体管失效。
-
公开(公告)号：CN102013428A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910171447.4
申请日：2009-09-04
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 一种金氧半导体芯片，包括一重掺杂的半导体基板、一外延层、至少一元件与一金属图案层；重掺杂的半导体基板构成一漏极掺杂区；外延层于半导体基板上；外延层的上表面定义有一主动区、一终端区与一切割道保留区，在切割道保留区具有一蚀刻壁，延伸至半导体基板的一上表面；此半导体基板的上表面的边缘区域暴露于外；元件位于主动区，并具有一栅极与一源极；金属图案层位于外延层与半导体基板上，包括一栅极接触垫、一源极接触垫与一漏极金属图案，其中，栅极接触垫电连接栅极，源极接触垫电连接源极，至少部分的漏极金属图案位于半导体基板的上表面。此芯片的设计可降低导通耗损；其制作方法可降低制作成本，也有利于后续的封装与装配程序。
-
公开(公告)号：CN101640197B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200810129973.X
申请日：2008-07-30
申请人： 尼克森微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/088 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L21/768
摘要： 本发明是有关一种半导体结构及其制造方法，本发明的半导体制造方法利用形成氧化物层的同时，部分氧化物层区隔出空间或提供高度差，以供作为传导用的线路(Bus)形成在其上。如此，传导线路可不需额外的光掩膜来定义，而可在随后的制造中形成导体材料于该氧化物层区之上。因此，本发明的半导体的制造可减少所需的光掩膜数以降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
168 条记录 (耗时 0.056 秒)
