发明公开
CN102690528A 一种熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法
- 专利标题(英): Method for preparing polymer-base conductive composite material by melt blending
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申请号: CN201210208506.2申请日: 2012-06-25
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公开(公告)号: CN102690528A公开(公告)日: 2012-09-26
- 发明人: 王勇 , 陈杰 , 杨静晖 , 张楠 , 黄婷 , 周祚万
- 申请人: 西南交通大学
- 申请人地址: 四川省成都市二环路北一段111号
- 专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市二环路北一段111号
- 代理机构: 成都中亚专利代理有限公司
- 代理商 王岗
- 主分类号: C08L101/00
- IPC分类号: C08L101/00 ; C08L69/00 ; C08L55/02 ; C08L51/00 ; C08L23/12 ; C08L77/02 ; C08L51/06 ; C08L23/06 ; C08L23/08 ; H01B1/24 ; C08K9/00 ; C08K9/02 ; C08K7/00 ; C08K3/04 ; C08J3/22
摘要:
本发明公开了一种熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法,其特征在于:其步骤是:1)原料的选择:2)对导电填料进行相关处理;3)熔融共混;本发明所述的制备方法先将导电填料与聚合物一和聚合物二的增容聚合物熔融共混制备母料,在这一过程中导电填料在增容聚合物中分散。再将母料与聚合物一和聚合物二进行熔融共混,此时搭载有导电填料的增容聚合物由于与聚合物一和聚合物二均具有一定的化学或物理相互作用,趋于分布在聚合物一与聚合物二的界面以降低两相界面张力,因此导电填料也随之分布在高聚物共混物聚合物一与聚合物二的界面,但导电填料的含量增加到一定时,在两相界面上形成导电通路,从而发生聚合物的导电逾渗现象,电导率大幅提高。
公开/授权文献
- CN102690528B 一种熔融共混制备聚合物基导电复合材料的方法 公开/授权日:2014-12-17