发明授权
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN201210080160.2申请日： 2012-03-23
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公开(公告)号： CN102694011B公开(公告)日： 2015-08-12
- 发明人: 野田隆夫 , 尾原亮一 , 佐野贤也 , 杉山亨
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 张伟; 王英
- 优先权： 065037/2011 2011.03.23 JP
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/45 ; H01L29/872
摘要：
根据一个实施例，一种半导体器件包括：第一导电类型的半导体层(10)；第二导电类型的第一区(3)，其被选择性设置在所述半导体层(10)的第一主表面中；第二导电类型的第二区，其被选择性设置在所述第一主表面中并且与第一区(3)相连接；第一电极(17)，其被设置为与半导体层(10)和第一区(3)相接触；第二电极，其被设置为与第二区相接触；以及第三电极(19)，其与半导体层中的与第一主表面相对的第二主表面电气连接。
公开/授权文献
- CN102694011A 半导体器件 公开/授权日：2012-09-26