- 专利标题: 测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法
- 专利标题(英): Method for detecting positive and saturation voltage drop of transistor chip of discrete device
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申请号: CN201210147751.7申请日: 2012-05-14
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公开(公告)号: CN102707214A公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 王新潮 , 冯东明 , 叶新民 , 乐海波 , 孙岩 , 陈晓伦
- 申请人: 江阴新顺微电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市江阴市开发区澄江东路99号
- 专利权人: 江阴新顺微电子有限公司
- 当前专利权人: 江阴新顺微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市江阴市开发区澄江东路99号
- 代理机构: 江阴市同盛专利事务所
- 代理商 唐纫兰; 曾丹
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本发明涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法,其特征在于在三极管芯片(1)下面的金属承片台盘(4)上连接测试仪的集电极输入电流线(41),在三极管芯片(1)外围的划片槽(5)扎一根集电极反馈电压探针(51),所述集电极反馈电压探针(51)连接测试仪的集电极反馈电压线(52),打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。本发明三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开,从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试,保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的方法。
公开/授权文献
- CN102707214B 测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法 公开/授权日:2013-06-12