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发明授权
CN102709160B 一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 有权 复审申请

一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜
摘要：
本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜，用以制作表面粗糙度较低、晶粒尺寸较大且分布均匀的低温多晶硅薄膜。该制作方法包括：在基板上形成一缓冲层；在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的籽晶层；在所述籽晶层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火。采用本发明提供的低温多晶硅薄膜的制作方法制作的低温多晶硅薄膜，其晶粒尺寸较大，分布均匀，并且具有非常低的表面粗糙度，从而解决了应用于低温多晶硅显示器背板中，迁移率较低，薄膜晶体管的漏电流较大，迁移率及阈值电压不均匀性的问题。
摘要（英）：

An embodiment of the present invention relates to a low temperature polysilicon thin film and a manufacturing method thereof. The manufacturing method comprises: forming a buffer layer on a substrate (S11); forming a seed layer comprising a plurality of uniformly distributed crystal nuclei on the buffer layer by using a patterning process (S12); forming an amorphous silicon layer on the seed layer (S13); and performing an excimer laser annealing process on the amorphous silicon layer (S14).

公开/授权文献
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