发明授权
CN102713002B 图案化导电膜的形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 图案化导电膜的形成方法
- 专利标题（英）： Method for forming patterned conductive film
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申请号： CN201180007388.2申请日： 2011-01-26
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公开(公告)号： CN102713002B公开(公告)日： 2014-08-27
- 发明人: 下田达也 , 松木安生 , 申仲荣
- 申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
- 申请人地址： 日本埼玉县
- 专利权人： 独立行政法人科学技术振兴机构,JSR株式会社
- 当前专利权人： 独立行政法人科学技术振兴机构,JSR株式会社
- 当前专利权人地址： 日本埼玉县
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 孔青; 李炳爱
- 优先权： 2010-016674 2010.01.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/052185 2011.01.26
- 国际公布： WO2011/093515 JA 2011.08.04
- 进入国家日期： 2012-07-27
- 主分类号： C23C18/10
- IPC分类号： C23C18/10 ; H05K3/00
摘要：
本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
公开/授权文献
- CN102713002A 图案化导电膜的形成方法 公开/授权日：2012-10-03
IPC分类:
