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公开(公告)号：CN102713002A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC分类号： C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
摘要： 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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公开(公告)号：CN102713002B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC分类号： C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
摘要： 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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公开(公告)号：CN102089358A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127035.9
申请日：2009-07-09
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC分类号： C08G77/60
摘要： 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。
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公开(公告)号：CN102656667A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
摘要： 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
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公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC分类号： C08G77/60 , C07F7/0896
摘要： 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
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公开(公告)号：CN102282103B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080004416.0
申请日：2010-01-07
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： C01B33/04 , H01L21/208 , H01L21/316 , C01B33/02 , C01B33/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C01B33/029 , C01B33/04 , C01B33/12 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675
摘要： 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。
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公开(公告)号：CN102388435B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080016856.8
申请日：2010-04-09
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/208 , B29C59/02 , C01B33/02 , C01B33/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612
摘要： 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。
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公开(公告)号：CN102656667B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
摘要： 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
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公开(公告)号：CN102388435A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080016856.8
申请日：2010-04-09
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/208 , B29C59/02 , C01B33/02 , C01B33/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612
摘要： 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。
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公开(公告)号：CN102282103A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004416.0
申请日：2010-01-07
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： C01B33/04 , H01L21/208 , H01L21/316 , C01B33/02 , C01B33/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C01B33/029 , C01B33/04 , C01B33/12 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675
摘要： 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。
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