提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050℃以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝AlxGa1-xN组分的良好结晶性。还提供用于制造上述的第III族氮化物半导体用自立基板，及其有效的制造方法。这些的特征在于，提供有晶体生长基板，其至少表面区域包括含铝的第III族氮化物半导体，以及在所述表面区域上部形成的氮化钪膜。