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公开(公告)号：CN102714145B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201080021400.0
申请日：2010-03-25
申请人： 同和控股(集团)有限公司 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/02365 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02664
摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050℃以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝AlxGa1-xN组分的良好结晶性。还提供用于制造上述的第III族氮化物半导体用自立基板，及其有效的制造方法。这些的特征在于，提供有晶体生长基板，其至少表面区域包括含铝的第III族氮化物半导体，以及在所述表面区域上部形成的氮化钪膜。
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公开(公告)号：CN105529248B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610077452.9
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积％的范围。
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公开(公告)号：CN103348043A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180047494.3
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为/秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积%的范围。
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公开(公告)号：CN102714145A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080021400.0
申请日：2010-03-25
申请人： 同和控股(集团)有限公司 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/02365 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02664
摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050℃以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝AlxGa1-xN组分的良好结晶性。还提供用于制造上述的第III族氮化物半导体用自立基板，及其有效的制造方法。这些的特征在于，提供有晶体生长基板，其至少表面区域包括含铝的第III族氮化物半导体，以及在所述表面区域上部形成的氮化钪膜。
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公开(公告)号：CN102326228A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200980157430.1
申请日：2009-12-25
申请人： 同和控股(集团)有限公司 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02491 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 公开不仅在生长温度为1050℃下或低于1050℃的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的AlxGa1-xN的情况下，都具有良好的结晶性的第III族氮化物半导体外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体自立基板，以及制造这些的第III族氮化物半导体生长基板和有效率地制造这些的方法，所述方法特征在于装备有晶体生长基板，该基板的至少表面部分由含Al的第III族氮化物半导体制成；和在表面部分上形成的并由Zr或Hf制成的单一金属层。
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公开(公告)号：CN105529248A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610077452.9
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积％的范围。
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公开(公告)号：CN103348043B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180047494.3
申请日：2011-09-30
申请人： 同和电子科技有限公司 , 同和控股(集团)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为/秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD生长炉内、含氨气的气体氛围中形成，前述气体氛围中除了氨气以外的气体成分为由氮气和氢气组成的载气，氮气在该载气中所占的含有比率为60～100体积%的范围。
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公开(公告)号：CN102326228B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200980157430.1
申请日：2009-12-25
申请人： 同和控股(集团)有限公司 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02491 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： 公开不仅在生长温度为1050℃下或低于1050℃的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的AlxGa1-xN的情况下，都具有良好的结晶性的第III族氮化物半导体外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体自立基板，以及制造这些的第III族氮化物半导体生长基板和有效率地制造这些的方法，所述方法特征在于装备有晶体生长基板，该基板的至少表面部分由含Al的第III族氮化物半导体制成；和在表面部分上形成的并由Zr或Hf制成的单一金属层。
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公开(公告)号：CN116249801A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067882.1
申请日：2021-09-27
申请人： 同和电子科技有限公司
IPC分类号： C30B11/08
摘要： 提供：特别适合用于LiDAR用的传感器制造的GaAs晶圆和能得到该GaAs晶圆的GaAs晶锭的制造方法。本发明的GaAs晶圆具有：5.0×1017cm‑3以上且低于3.5×1018cm‑3的硅浓度、3.0×1017cm‑3以上且低于3.0×1019cm‑3的铟浓度和1.0×1018cm‑3以上的硼浓度，平均位错密度为1500个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN103814447B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180072086.3
申请日：2011-05-12
申请人： BBSA有限公司 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要： 本发明提供用于更高效地制造减少了形成在发光结构中的裂纹的高品质垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的方法。该垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的制造方法包括：在生长基板上以生长基板与发光结构层叠体之间设置有剥离层的方式通过顺次地堆叠第一导电类型III族氮化物半导体层、发光层和第二导电类型III族氮化物半导体层形成发光结构层叠体的第一步骤，第二导电类型不同于第一导电类型；通过部分去除发光结构层叠体以使生长基板部分露出而形成多个独立的发光结构的第二步骤；形成具有下电极并一体支撑多个发光结构的导电性支撑体的第三步骤；通过用化学剥离工艺去除剥离层使生长基板从多个发光结构分离的第四步骤；和通过将发光结构之间的导电性支撑体进行分割而使均具有由导电性支撑体支撑的发光结构的多个LED芯片单片化的第五步骤。在第四步骤之前，在发光结构的中央区域中形成贯通的第一通孔使得至少剥离层露出。在第四步骤中经由第一通孔供给蚀刻剂。
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