本发明实施例公开了一种晶体硅位错的检测方法，包括如下步骤：（1）取待检测晶体硅样品进行抛光，接着用腐蚀液腐蚀，随后终止腐蚀；（2）采用高清成像系统对待检测晶体硅进行成像，得到晶体硅腐蚀图像，从而得到晶体硅腐蚀图像的腐蚀坑灰度像素比例；（3）根据腐蚀坑灰度像素比例与位错密度值之间的关系式，得到所述待检测晶体硅样品的位错密度值。另，本发明还公开了一种晶体硅位错的检测系统。采用本发明提供的晶体硅位错检测方法及检测系统，可对大尺寸的晶体硅直接进行检测，并能得到直观的位错结果，该检测方法简单可靠，为观察晶体硅的位错提供了新的方法。