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公开(公告)号：CN118272923A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311454019.9
申请日：2023-11-03
申请人： 新余赛维铸晶技术有限公司 , 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种籽晶块其及制备方法，铸锭单晶硅的生长方法，提出的一种籽晶块，该籽晶块的侧面重掺，该侧面重掺可有效吸附籽晶块拼接缝位置的杂质元素，降低该位置因杂质元素产生位错的几率，提高拼接缝位置晶体生长质量，改善铸锭单晶产品质量。
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公开(公告)号：CN116856055A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310795573.7
申请日：2023-06-30
申请人： 新余赛维铸晶技术有限公司 , 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明申请公开一种籽晶组件、铸造单晶硅锭及其生长方法，涉及铸造单晶硅锭技术领域，本申请公开的籽晶组件适用于铸造单晶硅锭的制备，包括：第一籽晶层；所述第一籽晶层由第一籽晶铺设在坩埚底部形成；第二籽晶层；所述第二籽晶层铺设在第一籽晶层上，所述第二籽晶层由第二籽晶铺设形成；其中，所述第二籽晶的掺杂浓度大于所述第一籽晶的掺杂浓度。本申请通过控制第一籽晶层在高温下形成由上至下由高至低的掺杂浓度梯度区域，并控制引晶发生在低浓度掺杂区域，一方面固定强化使得第一籽晶层表面在硅料压应力下发生较小的应变，另一方面不会向内部延伸形成继承缺陷，由此可提升铸造单晶硅锭的品质。
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公开(公告)号：CN115724595B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211308998.2
申请日：2022-10-25
申请人： 新余赛维铸晶技术有限公司 , 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
IPC分类号： C03C17/04
摘要： 本发明公开一种石英制品的修复方法和石英制品，修复方法包括以下步骤：步骤1：将待修复的石英制品的断裂处或缺口处进行清理并干燥；步骤2：将石英粉与硅溶胶按照按比例混合，并搅拌形成第一修复物；其中，石英粉和硅溶胶的质量比为3:1‑2:1；步骤3：将第一修复物涂覆在石英制品的断裂处或缺口处；并将涂敷第一修复物的石英制品干燥；步骤4：将干燥后的石英制品放入高温装置中烘烤；步骤5：将烘烤完后的石英制品的断裂处或缺口处进行乙炔焰高温软化。本申请通过烘烤的预固化处理和乙炔焰高温软化对第一修复物进行处理，乙炔焰的急速高温可挥发硅溶胶引入的有机物和金属杂质，将修复区域石英纯度达到99.9%以上，由此不仅修复时间短，成本低，品质高。
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公开(公告)号：CN113564695B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010354039.9
申请日：2020-04-29
摘要： 本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片，形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片，以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层，以形成(AB)n排布形式的架空结构，其中，A为垫片层，B为支撑片层，n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构，可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本，并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。
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公开(公告)号：CN113373503A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010156644.5
申请日：2020-03-09
摘要： 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为 、 或 ；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，能有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。
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公开(公告)号：CN113122913A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010027396.4
申请日：2020-01-10
摘要： 本申请提供了一种籽晶的铺设方法，包括：提供坩埚、多个第一籽晶和多个第二籽晶，所述第一籽晶和所述第二籽晶的生长面为同一晶向族，均为 ；在所述坩埚底部交替拼接铺设所述第一籽晶和所述第二籽晶，形成籽晶层，其中，所述籽晶层包括至少一个2×2矩阵单元，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第一籽晶的生长面晶向相反，在同一矩阵单元的对角线方向上的两个第二籽晶的生长面的晶向相反，所述第一籽晶和所述第二籽晶的侧面晶向具有夹角。通过本申请提供的籽晶铺设方法，使得籽晶与其周围籽晶之间侧面晶向均存在夹角，在制备单晶硅过程中可以形成晶界，减少缺陷的发生和引晶时的位错源，降低位错密度，提高硅锭的质量。
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公开(公告)号：CN106521621B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610834565.9
申请日：2016-09-20
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法，包括以下步骤：提供坩埚，坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，在朝向收容空间的侧壁表面设置阻挡层，阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99％以上的高纯薄片；高纯薄片的材质选自过渡金属单质、过渡金属化合物、石墨、铝的化合物和硼的化合物中的至少一种；然后在坩埚内设置熔融状态的硅料；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在坩埚侧壁设置阻挡层，可以阻挡坩埚中的杂质进入硅锭/硅熔体，降低了硅锭的红边宽度，提高了多晶硅锭的少子寿命。
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公开(公告)号：CN104593756B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201510069614.X
申请日：2015-02-10
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种镀膜硅基材料，所述镀膜硅基材料包括硅基材料层和金属层，所述金属层沉积在所述硅基材料层的表面，所述金属层的电负性大于硅的电负性。所述镀膜硅基材料的导电性能良好，因此能够直接用于扫描式电子显微镜(SEM)检测且精度较高。本发明还提供了该镀膜硅基材料的制备方法，在硅基材料进行SEM测试前，先置于镀膜处理液中处理2‑50s，制得镀膜硅基材料，其中所述镀膜处理液中，氢氟酸的浓度为1‑22mol/L，金属离子的摩尔浓度为0.001‑0.1mol/L，所述金属的电负性大于硅。该制备方法更易于操作，不需使用镀膜仪。本发明还提供了一种镀膜处理液。
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公开(公告)号：CN106757331A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611168629.2
申请日：2016-12-16
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供坩埚，在坩埚底部设置形核剂层；在形核剂层上设置硅块或硅颗粒形成架空层，架空层在垂直于坩埚底部的方向上设有贯通的空隙，架空层的高度不小于10mm；在架空层上铺设硅片，硅片覆盖空隙形成覆盖层，然后在覆盖层上填装硅料；加热使硅料熔化形成硅熔体，当覆盖层熔化时，硅熔体通过空隙流向形核剂层的表面，在形核剂层表面形核形成形核层；待覆盖层完全熔化后立即进入长晶阶段，硅熔体在形核层的基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明提供的多晶硅锭的制备方法提高了全熔法铸造多晶硅锭的形核稳定性和形核效率。本发明还提供了一种多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN106591942A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611259281.8
申请日：2016-12-30
申请人： 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚本体和掺杂层，坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，掺杂层附着在距底座第一高度和第二高度之间的侧壁的内表面上，第一高度为坩埚内预填装硅料熔化后形成的熔融硅液液面距坩埚本体底座的高度，第二高度为所述熔融硅液全部转变为固态硅锭时硅锭上表面距坩埚本体底座的高度，掺杂层的材料包括石英棉或碳纤维和负载在石英棉或碳纤维中的掺杂材料，掺杂材料包括第一掺杂剂，第一掺杂剂包括P型掺杂元素和N型掺杂元素中的任一种和/或锗元素；第一掺杂剂在坩埚内的预填装硅料中的初始原子体积浓度为1×1013‑7×1018atmos/cm3。本发明提供的坩埚，可有效降低坩埚侧壁传热的速度，降低掺杂层的温度，避免第一掺杂剂提前熔化。
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