一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1,5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79,80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘凹部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79,80)延伸至边缘凹部中。