发明授权
- 专利标题: 涂硼中子探测器及其制造方法
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申请号: CN201110096455.4申请日: 2011-04-18
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公开(公告)号: CN102749641B公开(公告)日: 2015-11-25
- 发明人: 赵自然 , 王永强 , 陈志强 , 张清军 , 李元景 , 刘以农 , 毛绍基 , 姚楠 , 董淑强
- 申请人: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 专利权人: 同方威视技术股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人: 同方威视技术股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 周春梅; 谭祐祥
- 主分类号: G01T3/00
- IPC分类号: G01T3/00
摘要:
本发明公开了一种涂硼中子探测器,该涂硼中子探测器包括:阴极管,其内部沿纵向形成多个通道,每个通道的内壁都涂有硼材料;电极丝,充当阳极,其被纵向地布置在每个所述通道内,该电极丝适于被施加高压;以及绝缘端板,所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板,所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。优选,阴极管由多个涂有硼材料的基板拼接形成。该涂硼中子探测器通过阴极管内设置多个内壁涂有硼材料的通道,不仅提高了中子探测器的探测效率,使其能够达到甚至超过相同尺寸的3He中子探测器的探测效率,而且价格要比3He中子探测器便宜得多。
公开/授权文献
- CN102749641A 涂硼中子探测器及其制造方法 公开/授权日:2012-10-24