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公开(公告)号：CN103698386B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310687895.6
申请日：2010-12-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01N27/62
CPC分类号： G01N27/622
摘要： 本发明提供了一种用于痕量探测仪的进样装置，该包括：设置在进样装置中的用于使样品从进样件脱附的进样室；以及用于在进样时使进样室与痕量探测仪的迁移管流体连通的阀门组件。本发明通过采用上述结构，例如，可以通过提高样品的透过率，增加检测装置的灵敏度。同时实现了迁移管内部环境与外界环境隔离，避免迁移区被污染，能够保持仪器的灵敏度、物质峰峰位、分辨率等重要参数不变，从而实现仪器的稳定、一致性。
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公开(公告)号：CN102749641B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110096455.4
申请日：2011-04-18
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01T3/00
CPC分类号： G01T3/00 , G01T3/008 , Y10T29/49117
摘要： 本发明公开了一种涂硼中子探测器，该涂硼中子探测器包括：阴极管，其内部沿纵向形成多个通道，每个通道的内壁都涂有硼材料；电极丝，充当阳极，其被纵向地布置在每个所述通道内，该电极丝适于被施加高压；以及绝缘端板，所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板，所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。优选，阴极管由多个涂有硼材料的基板拼接形成。该涂硼中子探测器通过阴极管内设置多个内壁涂有硼材料的通道，不仅提高了中子探测器的探测效率，使其能够达到甚至超过相同尺寸的3He中子探测器的探测效率，而且价格要比3He中子探测器便宜得多。
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公开(公告)号：CN101728208B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810119974.6
申请日：2008-10-20
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： H01J3/04 , H01J49/004 , H01J49/061
摘要： 公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。
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公开(公告)号：CN102565181A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010624243.4
申请日：2010-12-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： G01N27/622
摘要： 本发明公开了一种用于离子迁移谱仪的进样装置，其用于将待测样品导入到离子迁移谱仪的迁移管的入口中，所述进样装置包括：固体进样部件；样品进口部件；固定连接部件；其中，所述固体进样口部件在其内部限定有内腔体，其一端通过内腔体与样品进口部件相连通，其另一端通过固定连接部件与离子迁移管的入口相连通；以及气体进样部件，其包括主体和外部连接部件，所述主体内具有气体通道，并且所述外部连接部件包括进气孔，该进气孔与所述气体通道连通，其中，当所述外部连接部与样品进口部件配合时，所述主体插入到所述内腔体中，从而固体进样部件的通道被封闭，仅有气体进样部件的气体通道与迁移谱仪的迁移管的入口连通。
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公开(公告)号：CN101603943A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810114816.1
申请日：2008-06-12
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
CPC分类号： G01N27/622
摘要： 公开了一种用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构，包括：圆环状的电极，其中所述圆环状电极的两个圆环面在靠近内缘的至少一部分被形成为锥面，并且所述锥面与圆环状电极的中心轴所形成的角度不同。根据本发明实施例的电极结构能够有效地消除或减小空间电荷在迁移管中的积累。此结构尤其适用于迁移管内电场强度较低或通过大量离子时。同时，在保持迁移管内径不变的条件下，这种结构允许大幅度地缩减电极的外径，从而能够有效地缩小迁移管的外形尺寸，达到减小IMS的目的。
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公开(公告)号：CN104345334B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310341234.8
申请日：2013-08-07
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01T3/00
摘要： 本发明涉及阳极丝对中性能改善的中子探测管和中子探测设备。具体地，提供了一种中子探测管，其包括：阴极管，所述阴极管内限定有轴向延伸的管腔，且管腔内壁具有中子敏感材料；阳极丝，所述阳极丝在所述阴极管的管腔中轴向延伸；绝缘套，所述绝缘套的一部分气密密封地沿轴向插入所述阴极管中的一端，而且所述绝缘套内限定有通向所述阴极管的管腔的第一中央内孔；以及同心装置，其被置于所述绝缘套的第一中央内孔中，且被配置成使得所述阳极丝至少在轴向向内穿过所述同心装置后被居中于所述阴极管的中心轴线。本发明还提供了一种中子探测设备，其包括至少一只所述中子探测管；以及用于组合所述中子探测管的阵列组合装置。
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公开(公告)号：CN103646845B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310690394.3
申请日：2010-06-30
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
摘要： 一种用于离子迁移谱仪的迁移管模块，包括：迁移管本体模块；高压电源和门控电路模块；以及前端放大电路模块，其中所述高压电源和门控电路模块和所述前端放大电路模块与所述迁移管本体模块通过电缆形成电连接；所述迁移管模块还包括连接机构，其中高压电源和门控电路模块以及前端放大电路模块通过所述连接机构与迁移管本体模块形成物理以成为一体结构。
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公开(公告)号：CN104360375A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410743721.1
申请日：2014-12-08
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
摘要： 本发明的便携式低温半导体探测器装置具备：探测器晶体；高气压晶体保护室，在内部充满高压超纯惰性气体并容纳有所述探测器晶体；真空室，内部为真空环境并容纳有所述高气压晶体保护室；制冷装置，包括制冷机和与所述制冷机相连的制冷机冷指，用于冷却所述探测器晶体。
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公开(公告)号：CN103698386A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310687895.6
申请日：2010-12-31
申请人： 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01N27/62
CPC分类号： G01N27/622
摘要： 本发明提供了一种用于痕量探测仪的进样装置，该包括：设置在进样装置中的用于使样品从进样件脱附的进样室；以及用于在进样时使进样室与痕量探测仪的迁移管流体连通的阀门组件。本发明通过采用上述结构，例如，可以通过提高样品的透过率，增加检测装置的灵敏度。同时实现了迁移管内部环境与外界环境隔离，避免迁移区被污染，能够保持仪器的灵敏度、物质峰峰位、分辨率等重要参数不变，从而实现仪器的稳定、一致性。
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公开(公告)号：CN103646845A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310690394.3
申请日：2010-06-30
申请人： 清华大学 , 同方威视技术股份有限公司
摘要： 一种用于离子迁移谱仪的迁移管模块，包括：迁移管本体模块；高压电源和门控电路模块；以及前端放大电路模块，其中所述高压电源和门控电路模块和所述前端放大电路模块与所述迁移管本体模块通过电缆形成电连接；所述迁移管模块还包括连接机构，其中高压电源和门控电路模块以及前端放大电路模块通过所述连接机构与迁移管本体模块形成物理以成为一体结构。
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